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TX25SE溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振
頻率：13~55MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
TX25SE溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無(wú)論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過(guò)程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
TX25SE溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振， 貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
| Parameters | Specification | Remarks | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Frequency range | F_nom | 13.0MHz ~ 55.0MHz |
Limited frequencies available: 16MHz, 16.368MHz, 16.384MHz, 16.8MHz, 19.2MHz, 20MHz, 26MHz, 27MHz, 30MHz, 32MHz, 38.4MHz, 40MHz |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply voltage | Vcc | 1.8V ±0.1V, 2.8V ±5%, 3.0V ±5%, 3.3V ±5% | Supply voltage range: 1.7V to 3.63V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Initial frequency tolerance | F_tol | ±1.5ppm max | At +25°C, after reflow | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Frequency stability |
vs Temperature | F_stb | ±0.5ppm max over ‐40°C ~ +85°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ±2.0ppm max over ‐40°C ~ +85°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Load | F_load | ±0.1ppm max | ±10% load condition change | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Voltage | F_Vcc | ±0.1ppm max | ±5% input voltage change | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Aging | F_age | Table 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Current consumption | Icc | Table 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating temperature range (°C) | Topr | ‐40°C ~ +85°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage temperature (°C) | Tstg | ‐40°C ~ +90°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output wave form | Clipped sine wave | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output voltage level | 0.8V p‐ p (min.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output Load | 10K?//10pF | DC cut capacitor = 0.01 μ F | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Start‐ up time | T_str | 1.0ms max | Reach 90% amplitude at +25°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
抗沖擊
晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。TX25SE溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
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