回顧KDS集團(tuán)推出的一款1008mm超薄貼片晶體產(chǎn)品信息
回顧KDS集團(tuán)推出的一款1008mm超薄貼片晶體產(chǎn)品信息
2018年日本大真空株式會社,一般習(xí)慣用簡稱KDS晶振來稱呼,在這一年他們推出了四款款非常小、輕、薄型的貼片晶振,厚度只有0.13mm和0.23mm,長和寬分別是1.0×0.8mm和0.8×0.6mm.到目前為止,仍然是業(yè)界最小體積的系列,這款晶振的型號分別是DX1008J,DX0806J,DS1008J和DB1008J.其中DX開頭的是普通的石英晶體,DS開頭的SPXO振蕩器,DB開頭的是TCXO晶振,不同的分類可滿足廣大生產(chǎn)廠家的需求.
大真空株式會社(長谷川社長)已將“Arch.3G”系列晶體計(jì)時裝置商業(yè)化,該裝置通過與常規(guī)裝置不同的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了壓倒性的減薄.該系列使用了一種新結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)不同于使用導(dǎo)電膠,陶瓷封裝和蓋材料的常規(guī)產(chǎn)品,以實(shí)現(xiàn)緊湊,薄型和高可靠性.Arch.3G系列在石英晶體振蕩器和振蕩器方面實(shí)現(xiàn)了世界上最薄的厚度,其厚度不到傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的一半.這種薄度使得可以提出有助于節(jié)省空間的新價值,例如將這種產(chǎn)品堆疊在硅片上并將其嵌入模制的SiP(系統(tǒng)級封裝)模塊或基板中.
該系列可作為產(chǎn)品樣品提供,已于2018年5月開始量產(chǎn).
DS1008J晶振基本信息表:
系列名稱
Arch.3G
采用
內(nèi)置SiP/IC,智能手機(jī),IoT設(shè)備,可穿戴設(shè)備,汽車應(yīng)用
生產(chǎn)基地
鳥取辦事處/德島辦事處
諧振器
振蕩器
SPXO
TCXO
產(chǎn)品名稱
DX1008J
DX0806J
DS1008J
DB1008J
外形尺寸
1.0×0.8mm
0.8×0.6mm
1.0×0.8mm
1.0×0.8mm
厚度(典型值)
0.13mm
0.13mm
0.23mm
0.23mm
預(yù)定量產(chǎn)
2018年5月
未定
2018年5月
2018年5月
對于常規(guī)結(jié)構(gòu),隨著產(chǎn)品變小,當(dāng)將晶體元件安裝在包裝中時,趨于更難以確保諸如導(dǎo)電粘合劑的施加精度和安裝位置的裕度.為了解決這個問題,有必要從根本上審查產(chǎn)品和工藝設(shè)計(jì).
該系列使用了我們獨(dú)立開發(fā)的粘合技術(shù)FineSeal技術(shù)來創(chuàng)建WLP(晶圓級封裝),該晶圓以石英晶體為基礎(chǔ)材料粘合三層晶圓,以實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相同的氣密性.它發(fā)生了.利用這種結(jié)構(gòu),可以在不使用導(dǎo)電粘合劑的情況下將保持部和振動部一體化,并且在解決上述工藝問題的同時,還導(dǎo)致耐沖擊性的顯著提高.另外,通過在真空氣氛中進(jìn)行晶片清潔和鍵合,大大降低了質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn).借助這些,我們還將為要求更高可靠性的汽車應(yīng)用(例如自動駕駛)做出貢獻(xiàn).
另外,由于該工藝,AT切割的貼片晶振器件在質(zhì)量和生產(chǎn)率上存在問題,因?yàn)榫w元件隨著頻率增加而變薄.另一方面,在Arch.3G系列中,采用WLP可以簡化生產(chǎn)過程中的處理并解決這些問題.展望未來,我們將為WiFi市場等信息網(wǎng)絡(luò)相關(guān)產(chǎn)品推薦該產(chǎn)品,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將支持高達(dá)200MHz左右的高頻,并且由于更高的速度和更大的容量以及更高的數(shù)據(jù)中心需求而需要更高的頻率.
此外,通過實(shí)現(xiàn)壓倒性的超薄設(shè)計(jì),有望在新的晶體器件安裝場景中提供價值,例如被內(nèi)置到有望進(jìn)一步增長的SiP模塊和IC封裝中.另外,由于可以靈活地支持封裝端子設(shè)計(jì),因此它是可以形成各種外部端子(例如與引線鍵合兼容的形狀)的產(chǎn)品.
<與常規(guī)產(chǎn)品的比較>
石英晶體諧振器比較圖
石英晶體振蕩器比較圖
<產(chǎn)品規(guī)格>
|
項(xiàng)目/型號 |
DS1008J |
|
外形尺寸 |
1.0×0.8×0.23mmTyp. |
|
輸出頻率 |
1~100MHz |
|
電源電壓 |
1.6~3.6V |
|
消費(fèi)電流 |
1.3mA(Vcc=1.8V,48MHz),2.0mA(Vcc=1.8V,96MHz) |
|
頻率公差 |
±20×10―6,±30×10―6,±50×10―6,±100×10―6 |
|
工作溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
輸出水平 |
CMOS |
|
儲存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
包裝單位 |
3000pcs./reel(∅180) |
*其他規(guī)格請聯(lián)系我們.
<外觀>
<術(shù)語解釋>
[Arch.3G]
這是第三代晶體器件的商標(biāo),該器件已經(jīng)革新了傳統(tǒng)產(chǎn)品,并被稱為"ArcSleezy".目前正在申請商標(biāo)注冊.
[SiP]
"包裝中的系統(tǒng)"的縮寫.在一個封裝中包含半導(dǎo)體芯片和焊接部件的系統(tǒng).
[SPXO]
簡單封裝晶體振蕩器的縮寫.沒有溫度控制或溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器.
[TCXO]
溫補(bǔ)晶體振蕩器的縮寫.晶體振蕩器帶有溫度補(bǔ)償電路,可減少由于環(huán)境溫度變化而引起的頻率波動.
[WLP]
晶圓級封裝的縮寫.在晶圓狀態(tài)下執(zhí)行封裝.
[AT切]
頻率變化量隨溫度變化的切削方向呈三次曲線.AT切割晶體片可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的頻率,并且最常用于MHz頻段的晶體器件中.
[基本面波]
一種以給定振動模式的最低階(一階)運(yùn)行的類型.
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