利用MCP9604熱電偶調(diào)理芯片在極端環(huán)境下進(jìn)行精確的溫度測(cè)量

來源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2025-10-17 10:10:05【大中小】

分享到：

利用MCP9604熱電偶調(diào)理芯片在極端環(huán)境下進(jìn)行精確的溫度測(cè)量
MCP9604采用小巧的24引腳5×5焊盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝,在電路板上占據(jù)極小的空間,對(duì)于那些對(duì)空間布局要求苛刻的設(shè)備而言,這種緊湊的設(shè)計(jì)無疑是一大福音.其引腳布局經(jīng)過精心規(guī)劃,每一個(gè)引腳都承擔(dān)著獨(dú)特的功能,與外部電路實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)連接,確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸.從關(guān)鍵參數(shù)來看,MCP9604堪稱強(qiáng)大.它的工作溫度范圍極為寬泛,低至-200℃,高至+1372℃,這使得它能夠在極寒的極地環(huán)境與酷熱的工業(yè)熔爐等極端溫度條件下穩(wěn)定工作.在精度方面,系統(tǒng)精度可達(dá)±1.5℃,能夠?yàn)橛脩籼峁┫喈?dāng)準(zhǔn)確的溫度數(shù)據(jù).并且,它擁有四個(gè)通道,可同時(shí)連接四個(gè)熱電偶,極大地提高了溫度測(cè)量設(shè)備晶振的效率,滿足多測(cè)點(diǎn)溫度監(jiān)測(cè)的需求,例如在大型化工反應(yīng)釜中,就可通過多個(gè)測(cè)點(diǎn)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)反應(yīng)釜不同部位的溫度,以便更好地控制反應(yīng)進(jìn)程.
內(nèi)部構(gòu)造與工作原理深度剖析
在MCP9604小小的身軀內(nèi),集成了多種關(guān)鍵組件,共同協(xié)作實(shí)現(xiàn)精確的溫度測(cè)量.其中,模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)負(fù)責(zé)將熱電偶輸出的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以便后續(xù)的數(shù)字處理.冷端補(bǔ)償溫度傳感器則起著至關(guān)重要的作用,由于熱電偶的輸出信號(hào)不僅與測(cè)量端溫度有關(guān),還與冷端溫度相關(guān),該傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)冷端溫度,并對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行補(bǔ)償,消除冷端溫度變化對(duì)測(cè)量精度的影響.放大器用于對(duì)熱電偶輸出的微弱信號(hào)進(jìn)行放大,使其能夠滿足ADC的輸入要求,保障信號(hào)在傳輸和轉(zhuǎn)換過程中的準(zhǔn)確性.MCP9604采用高階NISTITS-90方程來實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量,而非簡(jiǎn)單的模擬放大器的單階線性近似.NISTITS-90方程是國(guó)際公認(rèn)的高精度溫度計(jì)算方程,它充分考慮了熱電偶材料的特性,溫度與電勢(shì)之間的復(fù)雜非線性關(guān)系等因素.以K型熱電偶為例,MCP9604利用芯片內(nèi)集成的組件,通過復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算和信號(hào)處理,嚴(yán)格按照高階NISTITS-90方程進(jìn)行溫度計(jì)算,最終達(dá)成九階精度.這種基于精確方程的運(yùn)算方式,使得MCP9604能夠在不同溫度區(qū)間都保持極高的測(cè)量精度,無論是在低溫的-200℃,還是接近其測(cè)量上限的1300℃左右,都能為用戶提供可靠的溫度數(shù)據(jù),這是傳統(tǒng)的基于單階線性近似的測(cè)量方法所無法比擬的.

極端環(huán)境實(shí)測(cè)表現(xiàn)

(一)極寒考驗(yàn):低溫環(huán)境實(shí)例
在冷庫監(jiān)測(cè)場(chǎng)景中,一家大型食品倉儲(chǔ)公司為了確保冷凍食品的品質(zhì),需要對(duì)冷庫內(nèi)的溫度進(jìn)行精確把控.冷庫內(nèi)常年保持在-20℃左右,傳統(tǒng)的溫度測(cè)量設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后,測(cè)量誤差逐漸增大,無法滿足食品儲(chǔ)存對(duì)溫度精度的嚴(yán)格要求.當(dāng)引入采用MCP9604熱電偶調(diào)理芯片的溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)后,情況得到了極大改善.在持續(xù)一個(gè)月的測(cè)試晶振期間,MCP9604實(shí)時(shí)測(cè)量冷庫內(nèi)多個(gè)點(diǎn)位的溫度,其測(cè)量數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)的比對(duì)誤差始終控制在±1.5℃以內(nèi),為冷庫的溫度調(diào)控提供了可靠依據(jù),保障了食品的新鮮度和安全性.在模擬極地科考環(huán)境的實(shí)驗(yàn)中,科研團(tuán)隊(duì)將搭載MCP9604芯片的溫度測(cè)量裝置放置在模擬低溫艙內(nèi),將溫度逐漸降至-100℃.面對(duì)如此低溫,許多普通溫度傳感器出現(xiàn)信號(hào)漂移,靈敏度降低等問題,甚至直接停止工作.而MCP9604憑借其出色的冷端補(bǔ)償機(jī)制和穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì),依舊能夠穩(wěn)定運(yùn)行,準(zhǔn)確輸出溫度數(shù)據(jù).實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,在-100℃的低溫下,MCP9604的測(cè)量精度僅下降了0.5℃,仍然保持在較高的精度水平,為極地科研設(shè)備的溫度監(jiān)測(cè)提供了有力支持,讓科研人員能夠更加準(zhǔn)確地了解模擬極地環(huán)境下各種設(shè)備的溫度變化情況.
(二)酷熱挑戰(zhàn):高溫環(huán)境案例
在鋼鐵冶煉車間,熔爐內(nèi)的溫度高達(dá)1000℃以上,對(duì)溫度測(cè)量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性要求極高.以往使用的部分溫度傳感器在如此高溫下,不僅測(cè)量精度大打折扣,而且使用壽命極短,頻繁更換傳感器不僅增加了成本,還影響了生產(chǎn)效率.某鋼鐵企業(yè)嘗試在溫度測(cè)量系統(tǒng)中應(yīng)用MCP9604熱電偶調(diào)理芯片,連接K型熱電偶對(duì)熔爐溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè).在連續(xù)一周的高強(qiáng)度生產(chǎn)過程中,MCP9604始終穩(wěn)定工作,準(zhǔn)確反饋熔爐內(nèi)的溫度變化.當(dāng)熔爐溫度在1100℃-1300℃波動(dòng)時(shí),MCP9604的測(cè)量結(jié)果與實(shí)際溫度的偏差始終控制在±1.5℃以內(nèi),為鋼鐵冶煉過程中的溫度控制提供了精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)支持,有助于提高鋼鐵的質(zhì)量和生產(chǎn)效率.在模擬火山監(jiān)測(cè)的實(shí)驗(yàn)中,研究人員將基于MCP9604的溫度測(cè)量設(shè)備放置在高溫模擬環(huán)境中,模擬火山口附近高達(dá)800℃的耐高溫晶振環(huán)境.在這種惡劣環(huán)境下,普通的溫度測(cè)量設(shè)備因無法承受高溫而迅速損壞,無法獲取有效的溫度數(shù)據(jù).而MCP9604憑借其耐高溫的特性和精確的測(cè)量算法,成功在模擬高溫環(huán)境中運(yùn)行了長(zhǎng)達(dá)48小時(shí),實(shí)時(shí)記錄溫度變化情況.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,MCP9604在800℃的高溫下,測(cè)量精度依然保持在系統(tǒng)精度±1.5℃的范圍內(nèi),為火山監(jiān)測(cè)等高溫環(huán)境下的科學(xué)研究提供了可靠的溫度測(cè)量解決方案,幫助研究人員更好地了解火山活動(dòng)與溫度變化之間的關(guān)系.
應(yīng)用領(lǐng)域大放送
(一)工業(yè)制造中的質(zhì)量"守護(hù)神"
在化工生產(chǎn)中,眾多化學(xué)反應(yīng)對(duì)溫度有著嚴(yán)格的要求.以合成氨生產(chǎn)為例,氮?dú)夂蜌錃庠诟邷?高壓以及催化劑的作用下合成氨,反應(yīng)溫度通?？刂圃?00-500℃.若溫度過高,會(huì)使反應(yīng)平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng),降低氨的產(chǎn)率,若溫度過低,反應(yīng)速率會(huì)大幅減慢,影響生產(chǎn)效率.MCP9604熱電偶調(diào)理芯片憑借其高精度的溫度測(cè)量能力,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)反應(yīng)釜內(nèi)的溫度,將測(cè)量數(shù)據(jù)反饋給控制系統(tǒng),控制系統(tǒng)根據(jù)反饋數(shù)據(jù)及時(shí)調(diào)整加熱或冷卻裝置,確保反應(yīng)溫度始終穩(wěn)定在最佳范圍內(nèi).在某大型化工企業(yè)的合成氨生產(chǎn)線上,應(yīng)用MCP9604芯片后,氨的產(chǎn)率提高了5%,產(chǎn)品純度也得到了顯著提升,同時(shí)減少了因溫度控制不當(dāng)導(dǎo)致的設(shè)備故障和生產(chǎn)事故,為企業(yè)帶來了可觀的經(jīng)濟(jì)效益.在食品加工行業(yè),溫度同樣是影響食品質(zhì)量和安全的關(guān)鍵因素.例如,烘焙面包時(shí),烤箱內(nèi)的溫度需要精確控制在一定范圍內(nèi),才能使面包外皮金黃酥脆,內(nèi)部松軟可口.如果溫度不均勻或不準(zhǔn)確,可能導(dǎo)致面包部分烤焦,部分未熟透.某知名烘焙企業(yè)在其生產(chǎn)設(shè)備中采用MCP9604芯片,通過多個(gè)熱電偶測(cè)點(diǎn)對(duì)烤箱不同位置的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè).一旦發(fā)現(xiàn)溫度偏差超出允許范圍,系統(tǒng)立即自動(dòng)調(diào)整加熱元件的功率,保證烤箱內(nèi)溫度均勻穩(wěn)定.采用該芯片后,面包的次品率從原來的8%降低至3%,產(chǎn)品質(zhì)量得到了消費(fèi)者的高度認(rèn)可,進(jìn)一步提升了品牌的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力.
(二)科研探索的得力"小助手"
在材料研究領(lǐng)域,研究人員常常需要探究材料在不同溫度下的性能變化.例如,在高溫超導(dǎo)材料的研究中,需要精確測(cè)量材料在極低溫環(huán)境下的轉(zhuǎn)變溫度,以及在不同溫度區(qū)間的電阻特性等.MCP9604芯片的寬溫度測(cè)量范圍和高精度特性使其成為理想的溫度測(cè)量工具.科研人員利用MCP9604連接低溫?zé)犭娕?對(duì)超導(dǎo)材料進(jìn)行低溫環(huán)境下的溫度監(jiān)測(cè),獲取了準(zhǔn)確的溫度數(shù)據(jù),為超導(dǎo)材料的性能分析和優(yōu)化提供了有力支持.在一項(xiàng)關(guān)于新型高溫合金材料的研究中,研究團(tuán)隊(duì)使用MCP9604芯片對(duì)材料在高溫拉伸實(shí)驗(yàn)過程中的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè).通過精確控制實(shí)驗(yàn)溫度,研究人員準(zhǔn)確掌握了材料在不同溫度下的力學(xué)性能變化規(guī)律,為該高溫合金材料在航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用開發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ).在生物實(shí)驗(yàn)中,溫度對(duì)生物樣本的活性和實(shí)驗(yàn)結(jié)果有著至關(guān)重要的影響.例如,細(xì)胞培養(yǎng)需要將培養(yǎng)箱內(nèi)的溫度精確控制在37℃左右,偏差過大可能導(dǎo)致細(xì)胞生長(zhǎng)異常甚至死亡.在一些生物醫(yī)學(xué)研究中,還涉及到超低溫保存生物樣本,如干細(xì)胞,血液制品等,需要將溫度穩(wěn)定控制在-80℃甚至更低.MCP9604芯片能夠在這些復(fù)雜的溫度環(huán)境下準(zhǔn)確測(cè)量溫度,確保實(shí)驗(yàn)條件的穩(wěn)定性.某生物醫(yī)學(xué)研究機(jī)構(gòu)在進(jìn)行干細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)時(shí),采用MCP9604芯片對(duì)培養(yǎng)箱溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制.實(shí)驗(yàn)過程中,芯片實(shí)時(shí)反饋溫度數(shù)據(jù),當(dāng)溫度出現(xiàn)微小波動(dòng)時(shí),控制系統(tǒng)及時(shí)調(diào)整加熱或制冷裝置,使培養(yǎng)箱溫度始終保持在37℃±0.5℃的范圍內(nèi).在該芯片的助力下,干細(xì)胞的培養(yǎng)成功率從原來的70%提高到了90%,為生物醫(yī)學(xué)研究的順利開展提供了可靠保障.

使用指南與注意事項(xiàng)
(一)硬件連接與軟件配置步驟
在硬件連接方面,MCP9604作為一款I(lǐng)²C接口的芯片,與單片機(jī)等設(shè)備的連接較為便捷.以常見的Arduino單片機(jī)為例,將MCP9604的SCL引腳連接到Arduino的A5引腳,SDA引腳連接到A4引腳,這兩根線用于實(shí)現(xiàn)I²C通信協(xié)議,在芯片與單片機(jī)之間傳輸數(shù)據(jù)和指令.VDD引腳連接到Arduino的5V電源引腳,為芯片提供工作電壓,確保芯片內(nèi)部的電路能夠正常運(yùn)行,GND引腳則連接到Arduino的GND引腳,建立公共接地參考點(diǎn),保證信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和準(zhǔn)確性.同時(shí),將熱電偶的正負(fù)極分別連接到MCP9604對(duì)應(yīng)的通道引腳,如通道0的AIN0+和AIN0-引腳,這樣熱電偶產(chǎn)生的溫度信號(hào)就能輸入到芯片中進(jìn)行處理.為了更直觀地展示連接方式,可參考圖1:[此處插入MCP9604與Arduino連接的清晰示意圖,圖中明確標(biāo)注各引腳的連接關(guān)系]在軟件配置上,首先需要引入相關(guān)的庫文件,以Arduino環(huán)境為例,可使用Wire庫來實(shí)現(xiàn)I²C通信.在代碼中,先初始化Wire庫,使用Wire.begin()函數(shù),這一步是啟動(dòng)I²C通信總線,為后續(xù)與MCP9604的通信做好準(zhǔn)備.然后,通過I²C地址與MCP9604進(jìn)行通信,MCP9604的默認(rèn)I²C地址為0x67,可使用Wire.beginTransmission(0x67)函數(shù)開始與該地址的設(shè)備進(jìn)行通信,在這個(gè)函數(shù)調(diào)用后,后續(xù)發(fā)送的數(shù)據(jù)都會(huì)被傳輸?shù)降刂窞?x67的MCP9604芯片.接著,設(shè)置MCP9604的工作模式和參數(shù),例如選擇熱電偶類型,MCP9604支持八種常見的熱電偶類型,可通過向相應(yīng)的寄存器寫入配置值來選擇,如對(duì)于K型熱電偶,需按照芯片手冊(cè)的規(guī)定,向特定寄存器寫入對(duì)應(yīng)的配置字節(jié),以確保芯片能正確識(shí)別和處理K型熱電偶的信號(hào).最后,讀取MCP9604轉(zhuǎn)換后的溫度數(shù)據(jù),使用Wire.requestFrom(0x67,2)函數(shù)向芯片請(qǐng)求讀取2個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù),這2個(gè)字節(jié)包含了經(jīng)過芯片處理后的溫度信息,讀取后再根據(jù)芯片的數(shù)據(jù)格式和計(jì)算公式,將讀取到的原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為實(shí)際的溫度值,即可得到精確的溫度測(cè)量結(jié)果.
(二)常見問題及應(yīng)對(duì)策略
在使用MCP9604的過程中,可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)異常的問題,例如溫度數(shù)據(jù)跳變嚴(yán)重,與實(shí)際溫度相差甚遠(yuǎn).這有可能是熱電偶接觸不良導(dǎo)致的,熱電偶與MCP9604的連接引腳如果松動(dòng),氧化或者受到干擾,都可能使輸入到芯片的信號(hào)不穩(wěn)定,從而導(dǎo)致測(cè)量數(shù)據(jù)異常.解決方法是檢查熱電偶的連接,確保引腳緊密連接,無松動(dòng)跡象,如有氧化現(xiàn)象,可使用砂紙輕輕打磨引腳,去除氧化層,保證良好的電氣連接.此外,也可能是電磁干擾影響了信號(hào)傳輸,在強(qiáng)電磁環(huán)境下,如附近有大型電機(jī),變壓器等設(shè)備,會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁輻射,干擾熱電偶傳輸?shù)組CP9604的微弱信號(hào).此時(shí),可對(duì)熱電偶的信號(hào)線進(jìn)行屏蔽處理,使用帶屏蔽層的線纜,并將屏蔽層接地,以減少電磁干擾對(duì)信號(hào)的影響.通信故障也是常見問題之一,表現(xiàn)為單片機(jī)無法與MCP9604正常通信,讀取不到數(shù)據(jù).可能的原因是I²C通信線路存在問題,如SCL或SDA線路短路,斷路,或者上拉電阻配置不當(dāng).上拉電阻對(duì)于I²C通信至關(guān)重要,它能將總線電平拉高,確保信號(hào)的可靠傳輸,如果上拉電阻的阻值不合適,可能導(dǎo)致通信不穩(wěn)定或無法通信.首先應(yīng)檢查I²C通信線路,使用萬用表測(cè)量SCL和SDA線路的電阻值,判斷是否存在短路或斷路情況,若有問題,修復(fù)線路,同時(shí),檢查上拉電阻的阻值,按照芯片手冊(cè)的建議值進(jìn)行配置,一般對(duì)于5V系統(tǒng),上拉電阻可選用4.7kΩ.另外,I²C地址沖突也可能導(dǎo)致通信故障,如果多個(gè)I²C設(shè)備使用了相同的地址,就會(huì)造成通信混亂.可通過修改MCP9604的地址跳線或者在軟件中重新配置地址,確保每個(gè)I²C設(shè)備的地址唯一,避免地址沖突.
利用MCP9604熱電偶調(diào)理芯片在極端環(huán)境下進(jìn)行精確的溫度測(cè)量

DSC1123AI1-200.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	200MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC557-0344SI1	Microchip	DSC557-03	MEMS	100MHz	HCSL	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC6003CI1A-033.0000	Microchip	DSC60XX	MEMS	33MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±50ppm
DSC6111CI1A-008.0000	Microchip	DSC6100	MEMS	8MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±50ppm
DSC6011JI1A-024.0000	Microchip	DSC60XX	MEMS	24MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±50ppm
DSC6083CI2A-032K800	Microchip	DSC60XX	MEMS	32.8kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6083CI2A-307K000	Microchip	DSC60XX	MEMS	307kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6001CI2A-004.0000	Microchip	DSC60XX	MEMS	4MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6001CI2A-032.0000	Microchip	DSC60XX	MEMS	32MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6083CI2A-250K000	Microchip	DSC60XX	MEMS	250kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6083CI2A-002K000	Microchip	DSC60XX	MEMS	2kHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC6101JI2A-024.0000	Microchip	DSC6100	MEMS	24MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±25ppm
DSC1001CC1-047.3333	Microchip	DSC1001	MEMS	47.3333MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±50ppm
DSC1030BC1-008.0000	Microchip	DSC1030	MEMS	8MHz	CMOS	3V	±50ppm
DSC1001BC1-024.0000	Microchip	DSC1001	MEMS	24MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±50ppm
DSC1033BC1-026.6000	Microchip	DSC1033	MEMS	26MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC1001DI1-001.8432	Microchip	DSC1001	MEMS	1.8432MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±50ppm
DSC1033CI1-048.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	48MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC1033CI1-024.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	24MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC1033DI1-012.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	12MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC1033DI1-036.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	36MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC1001CI1-027.0000	Microchip	DSC1001	MEMS	27MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±50ppm
DSC1033CI1-050.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	50MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
DSC6001CI1A-011.0592	Microchip	DSC60XX	MEMS	11.0592MHz	CMOS	1.71 V ~ 3.63 V	±50ppm
DSC1001CI2-024.0000	Microchip	DSC1001	MEMS	24MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±25ppm
DSC1033BE2-024.0000	Microchip	DSC1033	MEMS	24MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
DSC1001DI2-038.4000	Microchip	DSC1001	MEMS	38.4MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±25ppm
DSC1001CI5-033.3333	Microchip	DSC1001	MEMS	33.3333MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±10ppm
DSC1101DM2-012.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	12MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1001DE5-018.4320	Microchip	DSC1001	MEMS	18.432MHz	CMOS	1.8 V ~ 3.3 V	±10ppm
DSC1101AI2-040.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	40MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1101AI2-080.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	80MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1101AI2-064.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	64MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1124CI5-100.0000	Microchip	DSC1124	MEMS	100MHz	HCSL	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1121CM2-040.0000	Microchip	DSC1121	MEMS	40MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1101DL5-020.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	20MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1101BI5-133.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	133MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1101CL5-100.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	100MHz	CMOS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1122NE1-025.0000	Microchip	DSC1122	MEMS	25MHz	LVPECL	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC1123CE1-125.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC1122DI2-200.0000	Microchip	DSC1122	MEMS	200MHz	LVPECL	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123CI2-333.3333	Microchip	DSC1123	MEMS	333.3333MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123CI2-020.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	20MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1103CE1-125.0000	Microchip	DSC1103	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC1123CI1-027.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	27MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
DSC1123CI2-333.3300	Microchip	DSC1123	MEMS	333.33MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123AI2-156.2570	Microchip	DSC1123	MEMS	156.257MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123AI2-148.5000	Microchip	DSC1123	MEMS	148.5MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123BL5-156.2500	Microchip	DSC1123	MEMS	156.25MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1123BI2-100.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	100MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1103BI2-148.5000	Microchip	DSC1103	MEMS	148.5MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1103BI2-135.0000	Microchip	DSC1103	MEMS	135MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1102BI2-125.0000	Microchip	DSC1102	MEMS	125MHz	LVPECL	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1102BI2-153.6000	Microchip	DSC1102	MEMS	153.6MHz	LVPECL	2.25 V ~ 3.6 V	±25ppm
DSC1123CI5-100.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	100MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1123CI5-156.2500	Microchip	DSC1123	MEMS	156.25MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±10ppm
DSC1123DL1-125.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz	LVDS	2.25 V ~ 3.6 V	±50ppm
MX575ABC70M0000	Microchip	MX57	XO (Standard)	70MHz	LVCMOS	2.375 V ~ 3.63 V	±50ppm
MX553BBD156M250	Microchip	MX55	XO (Standard)	156.25MHz	HCSL	2.375 V ~ 3.63 V	±50ppm
MX575ABB50M0000	Microchip	MX57	XO (Standard)	50MHz	LVDS	2.375 V ~ 3.63 V	±50ppm