Taitien的32.768kHz晶體滿足從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅固耐用工業(yè)設(shè)備等各種應用
Taitien的32.768kHz晶體滿足從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅固耐用工業(yè)設(shè)備等各種應用
可穿戴設(shè)備行業(yè)正面臨"功能集成"與"形態(tài)輕薄"的雙重挑戰(zhàn),方面需要搭載心率監(jiān)測,血氧檢測,GPS定位等多元功能模塊,另一方面需滿足用戶對"無感佩戴"的需求,這就對核心元件的尺寸,功耗與穩(wěn)定性提出了極致要求.Taitien的32.768kHz晶振通過針對性的技術(shù)優(yōu)化,精準解決了可穿戴設(shè)備的設(shè)計難點.在尺寸控制上,Taitien突破微型化封裝技術(shù)瓶頸,推出的OZ-I系列晶體振蕩器尺寸僅為2.05×1.65mm,厚度可低至0.8mm,這一規(guī)格遠低于行業(yè)平均的3.2×2.5mm封裝標準.如此緊湊的尺寸設(shè)計,能為可穿戴設(shè)備內(nèi)部節(jié)省近40%的空間,讓工程師在設(shè)計智能手表表盤,健康監(jiān)測貼片等產(chǎn)品時,有更多空間集成電池,傳感器等關(guān)鍵部件.例如某知名智能手環(huán)廠商在采用OZ-I系列晶體后,成功將設(shè)備厚度從12mm降至8mm,同時將電池容量提升20%,實現(xiàn)了"更輕薄"與"更長續(xù)航"的雙重突破.
功耗優(yōu)化是可穿戴設(shè)備晶振的另一核心訴求.由于多數(shù)可穿戴設(shè)備依賴紐扣電池或小型鋰電池供電,且需長期處于待機狀態(tài)(如智能手表待機時長需達到7天以上),低功耗元件成為延長續(xù)航的關(guān)鍵.Taitien通過采用高阻抗石英晶片,優(yōu)化振蕩電路拓撲結(jié)構(gòu),將32.768kHz時鐘信號源的靜態(tài)功耗控制在10µA以內(nèi),動態(tài)功耗可低至5µA,這一水平較行業(yè)同類產(chǎn)品降低約30%.以某款搭載該晶體的智能手環(huán)為例,在每日正常使用(包括1小時運動監(jiān)測,10次消息提醒)的場景下,續(xù)航時間從原來的5天延長至7天,大幅減少了用戶的充電頻率.頻率穩(wěn)定性則直接影響可穿戴設(shè)備的數(shù)據(jù)采集精度.可穿戴設(shè)備在日常使用中會面臨溫度波動(如從室內(nèi)25℃到室外-10℃的環(huán)境變化),人體皮膚溫度傳導等問題,若晶體頻率穩(wěn)定性不足,可能導致傳感器數(shù)據(jù)采集偏差.Taitien的32.768kHz晶體通過特殊的晶片切割工藝與溫度補償設(shè)計,在-40℃至+85℃的寬溫范圍內(nèi),頻率穩(wěn)定性可達到±20ppm,即使在人體皮膚溫度(32℃-36℃)的動態(tài)變化區(qū)間,頻率偏差也能控制在±5ppm以內(nèi).這一性能確保了心率監(jiān)測模塊能精準捕捉每一次心跳波動,運動步數(shù)統(tǒng)計誤差控制在1%以內(nèi),為用戶提供可靠的健康數(shù)據(jù)參考.
此外,Taitien的32.768kHz晶體還具備快速啟動特性,啟動時間僅需2ms,遠快于行業(yè)平均的5ms啟動標準.這一優(yōu)勢在可穿戴設(shè)備從待機狀態(tài)切換至工作狀態(tài)時尤為重要——例如用戶將智能手表從手腕取下后重新佩戴,設(shè)備需快速喚醒心率監(jiān)測功能,2ms的快速啟動能確保監(jiān)測數(shù)據(jù)"無延遲",避免因啟動緩慢導致的監(jiān)測中斷問題.
賦能堅固耐用工業(yè)設(shè)備:以"穩(wěn)而強"應對嚴苛環(huán)境
工業(yè)設(shè)備的應用場景往往伴隨著極端溫度,強烈電磁干擾,機械振動等嚴苛條件,例如在鋼鐵廠的高溫車間,戶外電力巡檢設(shè)備,化工企業(yè)的防爆區(qū)域,元件需具備長期穩(wěn)定運行的能力.Taitien的32.768kHz晶體通過工業(yè)級晶振的材料選型,結(jié)構(gòu)設(shè)計與測試驗證,構(gòu)建了全方位的環(huán)境適應能力,成為工業(yè)設(shè)備的"可靠時間基準".寬溫穩(wěn)定性是工業(yè)設(shè)備的核心需求之一.工業(yè)現(xiàn)場的溫度波動范圍遠超消費電子場景,例如戶外光伏逆變器需承受-40℃至+85℃的溫度變化,而冶金行業(yè)的設(shè)備甚至需在+125℃的高溫環(huán)境下運行.Taitien針對不同工業(yè)場景,推出多規(guī)格的32.768kHz晶體:針對常規(guī)工業(yè)環(huán)境的產(chǎn)品,在-40℃至+85℃區(qū)間內(nèi)頻率誤差≤±25ppm;針對高溫場景的特種型號,通過采用耐高溫封裝材料(如陶瓷封裝+金屬蓋板)與高溫穩(wěn)定型石英晶片,在-40℃至+125℃區(qū)間內(nèi)仍能保持±30ppm的頻率穩(wěn)定性.某光伏逆變器廠商在采用該晶體后,設(shè)備在新疆,內(nèi)蒙古等晝夜溫差大的地區(qū)運行時,時鐘同步誤差從原來的10ms/天降至5ms/天,有效提升了光伏電站的發(fā)電效率.
低老化率是保障工業(yè)設(shè)備長期可靠性的關(guān)鍵.工業(yè)設(shè)備的設(shè)計壽命通常為5-10年(如工業(yè)PLC,智能傳感器),若晶體老化率過高,會導致時鐘精度隨使用時間推移而下降,進而引發(fā)設(shè)備控制誤差.Taitien的32.768kHz晶體采用高純度石英材料(純度達99.999%),通過真空鍍膜工藝形成均勻的電極層,并經(jīng)過1000小時的高溫老化測試篩選,將產(chǎn)品的年老化率控制在±3ppm以內(nèi),10年累計老化率≤±20ppm.某自動化設(shè)備廠商的案例顯示,其搭載該晶體的PLC控制器在連續(xù)運行5年后,時鐘偏差僅為80ms,遠低于行業(yè)要求的200ms上限,無需進行晶體更換即可保持設(shè)備正常運行,大幅降低了工業(yè)現(xiàn)場的維護成本.抗干擾能力是工業(yè)環(huán)境下的另一重要指標.工業(yè)車間內(nèi)存在大量電機,變頻器,高壓設(shè)備,這些設(shè)備會產(chǎn)生強電磁輻射(如10kHz-30MHz的電磁干擾),若晶體抗干擾性能不足,可能導致時鐘信號失真,引發(fā)設(shè)備控制紊亂.Taitien通過三重抗干擾設(shè)計提升晶體的電磁兼容性(EMC):一是采用金屬屏蔽封裝,有效阻擋外部電磁輻射;二是在晶體引腳處增加RC濾波電路,抑制傳導干擾;三是優(yōu)化晶體與外部電路的匹配參數(shù),降低電磁輻射對振蕩電路的影響.經(jīng)第三方實驗室測試,該晶體在10V/m的電磁輻射環(huán)境下,頻率偏差≤±3ppm,完全滿足工業(yè)設(shè)備的EMC標準(如EN61000-6-2).某汽車零部件廠商在其生產(chǎn)線的傳感器中采用該晶體后,設(shè)備在焊接機器人,沖壓機床等高干擾環(huán)境下,數(shù)據(jù)傳輸錯誤率從原來的0.5%降至0.01%,生產(chǎn)線的良品率提升1.2個百分點.
在尺寸適配性上,Taitien泰藝晶振考慮到工業(yè)設(shè)備的多樣性需求,提供了豐富的規(guī)格選擇:除了適用于小型傳感器的2.0×1.6mmOZ-D系列,還推出了適用于工業(yè)控制柜的2.5×2mmOY-D系列,3.2×2.5mmOC-D系列,不同封裝規(guī)格的晶體在引腳定義,電氣參數(shù)上保持兼容性,方便設(shè)備廠商根據(jù)不同產(chǎn)品型號靈活選型.例如某工業(yè)自動化企業(yè)在其小型傳感器產(chǎn)品中采用OZ-D系列,在大型PLC控制器中采用OC-D系列,無需調(diào)整電路設(shè)計即可實現(xiàn)晶體的批量替換,降低了研發(fā)與生產(chǎn)的復雜度.
Taitien的32.768kHz晶體滿足從緊湊型可穿戴設(shè)備到堅固耐用工業(yè)設(shè)備等各種應用
| OXETGLJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 24.576 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETHEJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±100ppm | 0°C ~ 85°C |
| OXETGCJANF-36.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 36 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGLJANF-40.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 40 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETGCJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGCJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGCJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGLJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXKTGLJANF-19.200000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 19.2 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXKTGLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETGCJANF-50.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGCJANF-54.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 54 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGLJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXKTGLKANF-26.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETDCJTNF-66.000000MHZ | Taitien | OC | XO (Standard) | 66 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETECJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±30ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGJJANF-7.680000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 7.68 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 105°C |
| OYETCCJANF-12.288000 | Taitien | OY | XO (Standard) | 12.288 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETGLJANF-38.880000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 38.88 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETDCKANF-12.800000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 12.8 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETECJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETCCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETCCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETDCKTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETDLJANF-2.048000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 2.048 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETELJANF-8.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 8 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGCJANF-24.576000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGCJANF-4.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 4 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGLJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLKANF-20.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLKANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETHCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 1.8V | ±100ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCKTGLJANF-20.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 20 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCKTGLJANF-30.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 30 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCKTGLJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCKTGLJANF-31.250000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 31.25 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETDCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETDCJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGCJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCETGLJTNF-66.667000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 66.667 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLJANF-27.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLJTNF-66.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 66 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCETGLJTNF-80.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 80 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OCJTDCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm | -20°C ~ 70°C |
| OCKTGLJANF-24.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETGLJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETDLJANF-8.704000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 8.704 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXKTGCJANF-37.125000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 37.125 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETCLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 26 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETGLJANF-48.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 48 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXJTDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXJTGLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±50ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXKTCDJANF-0.032768 | Taitien | OX | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | ±20ppm | -30°C ~ 85°C |
| OXKTGCJANF-0.032768 | Taitien | OX | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm | -20°C ~ 70°C |
| OXETDLJANF-20.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
| OXETDLJANF-66.000000 | Taitien | OX | XO (Standard) | 66 MHz | CMOS | 2.8V | ±25ppm | -40°C ~ 85°C |
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