SiTime憑借Titan Platform進(jìn)入40億美元規(guī)模的諧振器市場(chǎng)
SiTime憑借TitanPlatform™進(jìn)入40億美元規(guī)模的諧振器市場(chǎng)
諧振器市場(chǎng)剖析
(一)規(guī)模與增長(zhǎng),石英晶體諧振器市場(chǎng)在電子產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著舉足輕重的地位,其規(guī)模已達(dá)40億美元.近年來(lái),諧振器市場(chǎng)呈現(xiàn)出穩(wěn)健的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在一定水平.推動(dòng)這一增長(zhǎng)的主要因素包括5G通信技術(shù)的快速普及.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的爆發(fā)式增長(zhǎng)以及汽車(chē)智能化程度的不斷提高.5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)需要大量高性能的諧振器來(lái)確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸和精準(zhǔn)同步,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的廣泛應(yīng)用使得對(duì)小型化.低功耗諧振器的需求激增,而汽車(chē)電子系統(tǒng)中如自動(dòng)駕駛輔助.智能座艙等功能的發(fā)展,也極大地拉動(dòng)了諧振器的市場(chǎng)需求.
(二)應(yīng)用領(lǐng)域,諧振器的應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛,涵蓋了汽車(chē).電信.可穿戴設(shè)備等多個(gè)關(guān)鍵行業(yè).在汽車(chē)領(lǐng)域,諧振器被應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng).車(chē)載通信系統(tǒng)以及安全氣囊觸發(fā)裝置等,對(duì)汽車(chē)的性能和安全性起著關(guān)鍵作用.在電信行業(yè),從基站設(shè)備到手機(jī)終端,諧振器都是實(shí)現(xiàn)信號(hào)頻率穩(wěn)定.保障通信質(zhì)量的核心元件.在可穿戴設(shè)備中,如智能手表.手環(huán)等,諧振器為設(shè)備的計(jì)時(shí).數(shù)據(jù)傳輸?shù)裙δ芴峁┓€(wěn)定的頻率基準(zhǔn),其小型化和低功耗特性滿(mǎn)足了可穿戴設(shè)備對(duì)尺寸和續(xù)航的嚴(yán)格要求.此外,在工業(yè)控制.航空航天晶振等領(lǐng)域,諧振器也發(fā)揮著不可或缺的作用,確保各種復(fù)雜電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行.
(三)競(jìng)爭(zhēng)格局,全球諧振器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,匯聚了眾多實(shí)力強(qiáng)勁的參與者.Murata.TXC.Epson.NDK等企業(yè)憑借其在傳統(tǒng)石英諧振器領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和廣泛的市場(chǎng)布局,占據(jù)了相當(dāng)大的市場(chǎng)份額.這些企業(yè)在技術(shù)研發(fā).生產(chǎn)工藝以及客戶(hù)資源方面都具有顯著優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)期以來(lái)主導(dǎo)著諧振器市場(chǎng)的發(fā)展.
SiTime作為MEMS技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者,攜TitanPlatform進(jìn)入諧振器市場(chǎng),為行業(yè)帶來(lái)了新的競(jìng)爭(zhēng)活力.與傳統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,SiTime的優(yōu)勢(shì)在于其先進(jìn)的MEMS技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)諧振器的小型化.高性能以及更高的可靠性.TitanPlatform基于SiTime第六代FujiMEMS技術(shù)和第七代模擬電路打造,具有體積小.老化穩(wěn)定性高.抗沖擊和抗振性能強(qiáng)等特點(diǎn),在尺寸和性能上對(duì)傳統(tǒng)石英諧振器形成了有力挑戰(zhàn).然而,SiTime也面臨著一些挑戰(zhàn),如市場(chǎng)對(duì)MEMS諧振器的認(rèn)知度和接受度仍有待提高,傳統(tǒng)石英諧振器在某些應(yīng)用場(chǎng)景中根深蒂固的地位難以在短時(shí)間內(nèi)撼動(dòng),以及來(lái)自其他潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)追趕和市場(chǎng)爭(zhēng)奪壓力.但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的演變,SiTime有望憑借TitanPlatform在諧振器市場(chǎng)中開(kāi)辟出一片新的天地,逐步擴(kuò)大市場(chǎng)份額,重塑行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局.
TitanPlatform的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
(一)尺寸突破,TitanPlatform采用0.46x0.46毫米的芯片級(jí)封裝,在尺寸上實(shí)現(xiàn)了重大突破.這一尺寸相比傳統(tǒng)的1210石英晶體器件,其PCB尺寸足足小七倍,與1008石英晶體器件相比,也小了四倍之多.對(duì)于可穿戴設(shè)備晶振而言,這種程度的微型化具有革命性的意義.以智能手表為例,以往受限于石英諧振器較大的體積,手表的表盤(pán)難以做到極致輕薄,而TitanPlatform的出現(xiàn),讓設(shè)計(jì)師可以徹底擺脫空間限制,將表盤(pán)做得更加輕薄,使其能更貼合手腕,提升佩戴的舒適度.同時(shí),節(jié)省出的空間還可用于集成更多新功能,如AI健康監(jiān)測(cè)功能,通過(guò)內(nèi)置的生物傳感器,結(jié)合Titan提供的穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)血壓.血糖等健康指標(biāo)的連續(xù)監(jiān)測(cè),并在異常時(shí)及時(shí)主動(dòng)預(yù)警.在運(yùn)動(dòng)手環(huán)設(shè)計(jì)中,TitanPlatform使得手環(huán)的造型可以更加精巧,滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于時(shí)尚和便攜的追求.
(二)性能卓越,在性能方面,TitanPlatform基于SiTime第六代FujiMEMS技術(shù)和第七代模擬電路打造,展現(xiàn)出了卓越的特性.其老化穩(wěn)定性比石英提高了5倍,在最高額定溫度下可穩(wěn)定使用5年.這意味著使用Titan諧振器的設(shè)備,在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中,頻率漂移現(xiàn)象得到了極大的改善,能夠始終保持精準(zhǔn)的計(jì)時(shí).在-40°C至+125°C的極端工作溫度范圍內(nèi),Titan也能提供更嚴(yán)格的穩(wěn)定性,而傳統(tǒng)石英諧振器在這樣的高低溫環(huán)境下,極易出現(xiàn)頻率漂移,導(dǎo)致設(shè)備計(jì)時(shí)誤差甚至系統(tǒng)崩潰.
Titan的機(jī)械彈性也大幅提升,其抗沖擊性能比石英提高了50倍,抗振性能提高了30倍.在日常使用中,電子設(shè)備難免會(huì)受到各種外力的沖擊和振動(dòng),比如手機(jī)不慎從高處跌落,運(yùn)動(dòng)手環(huán)在跑步時(shí)會(huì)隨著手臂劇烈晃動(dòng).在這些情況下,Titan依然能保持精準(zhǔn)計(jì)時(shí),確保設(shè)備的正常運(yùn)行,避免因諧振器故障而出現(xiàn)“抽風(fēng)斷聯(lián)”等問(wèn)題,大大提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性.
(三)功耗與效率優(yōu)勢(shì),功率效率是TitanPlatform的又一顯著優(yōu)勢(shì),體現(xiàn)在直接和間接兩個(gè)方面.直接方面,與石英解決方案相比,Titan諧振器可將振蕩器電路功耗降低高達(dá)50%,并將啟動(dòng)能耗降低三倍.這對(duì)于依賴(lài)電池供電的設(shè)備來(lái)說(shuō),無(wú)疑是一個(gè)重大利好.以智能手表為例,降低的功耗意味著更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間,搭載Titan后,續(xù)航時(shí)間可延長(zhǎng)大半天,減少了用戶(hù)頻繁充電的困擾.對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)傳感器等設(shè)備,更低的功耗使其無(wú)需頻繁更換電池,降低了維護(hù)成本,同時(shí)也提高了設(shè)備在戶(hù)外等難以頻繁更換電池場(chǎng)景下的使用穩(wěn)定性.間接方面,MEMS振蕩器的啟動(dòng)時(shí)間比石英振蕩器更快,Titan的啟動(dòng)速度最高可達(dá)石英振蕩器的三倍.通過(guò)更精確地控制射頻子系統(tǒng)的占空比,可以節(jié)省系統(tǒng)能耗.在實(shí)際應(yīng)用中,例如在無(wú)線(xiàn)通信晶振中,Titan能夠更快速地開(kāi)啟和關(guān)閉射頻,避免了不必要的能耗,進(jìn)一步提升了設(shè)備的能源利用效率,實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)能耗的有效控制.
(四)兼容性創(chuàng)新,TitanPlatform在兼容性方面具有創(chuàng)新性.SiTime的MEMS振蕩器以往采用專(zhuān)有諧振器搭配針對(duì)MEMS性能優(yōu)化的內(nèi)部電路,而Titan的設(shè)計(jì)則使其能夠與半導(dǎo)體供應(yīng)商最初為石英設(shè)計(jì)的振蕩器接口兼容.這一特性為工程師的設(shè)計(jì)工作帶來(lái)了極大的便利,他們可以使用Titan作為石英的直接替代品,而無(wú)需重新設(shè)計(jì)振蕩器級(jí),從而節(jié)省了大量的設(shè)計(jì)時(shí)間和成本.通常情況下,重新設(shè)計(jì)振蕩器級(jí)可能需要多年的驗(yàn)證和新的硅片流片,這一過(guò)程不僅復(fù)雜,而且成本高昂.
工程師還可以將Titan作為已知良好裸片與SoC或MCU共同封裝,從而獲得集成優(yōu)勢(shì).當(dāng)Titan與主機(jī)設(shè)備一起嵌入塑料封裝中時(shí),可以完全省去外部諧振器,簡(jiǎn)化了電路板布局,最大限度地減少了長(zhǎng)走線(xiàn)帶來(lái)的寄生效應(yīng).這種封裝方法還釋放了原本用于諧振器連接的通用I/O引腳,為引腳數(shù)量受限的微控制器創(chuàng)造了額外價(jià)值,增加了設(shè)計(jì)的靈活性,使得工程師能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的功能設(shè)計(jì).
(一)對(duì)SiTime自身發(fā)展TitanPlatform的推出,對(duì)SiTime自身發(fā)展而言,無(wú)疑是一個(gè)具有里程碑意義的戰(zhàn)略舉措,為其帶來(lái)了廣闊的業(yè)務(wù)拓展空間.憑借Titan在尺寸.性能.功耗和兼容性等多方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),SiTime能夠迅速切入多個(gè)熱門(mén)應(yīng)用領(lǐng)域.在可穿戴設(shè)備市場(chǎng),Titan的微型化特性使其成為智能手表.手環(huán)等設(shè)備的理想選擇,隨著這些設(shè)備市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng),SiTime有望在該領(lǐng)域獲得大量訂單,從而顯著擴(kuò)大市場(chǎng)份額.在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,眾多傳感器和終端設(shè)備對(duì)小型化.低功耗諧振器的需求巨大,Titan正好契合這一需求趨勢(shì),助力SiTime在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)中分得一杯羹.市場(chǎng)份額的擴(kuò)大必然會(huì)帶動(dòng)營(yíng)收的增長(zhǎng).以2025年上半年為例,在TitanPlatform推出后的短短幾個(gè)月內(nèi),SiTime來(lái)自可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的營(yíng)收就實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng).隨著Titan在市場(chǎng)上的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年SiTime的營(yíng)收將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),進(jìn)一步鞏固其在MEMS技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,并為其后續(xù)的技術(shù)研發(fā)和市場(chǎng)拓展提供堅(jiān)實(shí)的資金保障.
(二)對(duì)傳統(tǒng)石英諧振器的沖擊,TitanPlatform憑借其多方面的優(yōu)勢(shì),對(duì)傳統(tǒng)石英諧振器市場(chǎng)造成了強(qiáng)有力的沖擊.在尺寸方面,Titan的超小型封裝使其在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中具有明顯優(yōu)勢(shì),可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化和多功能化,紛紛開(kāi)始考慮采用Titan替代傳統(tǒng)石英諧振器.在性能上,Titan的老化穩(wěn)定性.抗沖擊和抗振性能以及在極端溫度下的穩(wěn)定性都遠(yuǎn)超傳統(tǒng)石英諧振器,這使得對(duì)設(shè)備性能要求較高的汽車(chē)電子.工業(yè)控制等領(lǐng)域也開(kāi)始對(duì)Titan產(chǎn)生濃厚興趣.據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,自Titan推出以來(lái),傳統(tǒng)石英諧振器在可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的份額已經(jīng)出現(xiàn)了明顯下滑,預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年內(nèi),這一趨勢(shì)還將繼續(xù)加劇.傳統(tǒng)石英諧振器制造商在技術(shù)地位上也面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn),他們不得不加大研發(fā)投入,試圖在尺寸縮小.性能提升等方面追趕Titan,但由于技術(shù)路徑和材料特性的限制,短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)突破.傳統(tǒng)石英諧振器在市場(chǎng)份額和技術(shù)地位上的雙重挑戰(zhàn),使其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)壓力劇增,行業(yè)格局面臨重塑.
(三)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展,TitanPlatform的出現(xiàn),猶如在平靜的湖面投下一顆巨石,激起千層浪,促使行業(yè)內(nèi)其他企業(yè)紛紛加大研發(fā)投入,推動(dòng)諧振器技術(shù)朝著小型化.高性能.低功耗方向加速發(fā)展.面對(duì)Titan在尺寸上的巨大優(yōu)勢(shì),傳統(tǒng)石英諧振器制造商開(kāi)始探索新的封裝技術(shù)和材料,力求減小產(chǎn)品尺寸.一些企業(yè)嘗試采用新型的納米材料,通過(guò)優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)和工藝,試圖實(shí)現(xiàn)石英諧振器的微型化,但目前仍處于實(shí)驗(yàn)階段,距離大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用還有一定距離.在性能提升方面,企業(yè)們也在積極探索新的技術(shù)路徑.針對(duì)Titan老化穩(wěn)定性高的特點(diǎn),其他企業(yè)開(kāi)始研究新的頻率穩(wěn)定技術(shù),如采用更先進(jìn)的溫度補(bǔ)償算法和電路設(shè)計(jì),以提高石英諧振器在不同環(huán)境下的頻率穩(wěn)定性.為了提升抗沖擊和抗振性能,一些企業(yè)研發(fā)出了新型的緩沖結(jié)構(gòu)和材料,能夠有效減少外力對(duì)諧振器的影響.在功耗降低方面,企業(yè)們通過(guò)改進(jìn)電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化諧振器的工作模式,努力降低產(chǎn)品的功耗,以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的低功耗需求.Titan的出現(xiàn),推動(dòng)了整個(gè)諧振器行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展,促使行業(yè)技術(shù)水平邁向新的臺(tái)階.
SiTime憑借TitanPlatform™進(jìn)入40億美元規(guī)模的諧振器市場(chǎng)
| ECS-2333-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 16 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-250-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2333-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2333 | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2018-270-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 27 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-2018-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-2033-500-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3963-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-240-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-120-BN | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-327MVATX-2-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-327MVATX-3-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-260-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 26 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-2018-250-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-250-CN-TR3 | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| ECS-3225MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-160-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 16 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-240-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-120-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 12 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MV-480-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-080-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 8 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2033-240-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 24 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2033-250-BN-TR3 | ECS晶振 | ECS-2033 | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-500-BL-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MV-480-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MV | XO | 48 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3225MV-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MV | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-240-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 24 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3953M-480-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 48 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-200-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 20 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MVQ-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVQ | XO | 25 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-500-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 50 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3963-040-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 4 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-075-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 7.5728 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 8.192 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-120-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 27.12 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-049-BN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 4.9152 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±50ppm |
| ECS-2520MVLC-250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-2520MVLC | XO | 25 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3951M-160-B-TR | ECS晶振 | ECS-3951M | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
| ECS-5032MV-122.8-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 12.288 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-327MVATX-7-CN-TR | ECS晶振 | ECS-327MVATX | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-5032MV-1250-CN-TR | ECS晶振 | ECS-5032MV | XO | 125 MHz | HCMOS | 1.6V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-2018-143-BN | ECS晶振 | ECS-2018 | XO | 14.31818 MHz | HCMOS | 1.8V | ±50ppm |
| ECS-327ATQMV-AS-TR | ECS晶振 | ECS-327ATQMV | XO | 32.768 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±100ppm |
| ECS-3963-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3963-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3225MVQ-1000-CN-TR | ECS晶振 | ECS-3225MVQ | XO | 100 MHz | HCMOS | 1.7V ~ 3.6V | ±25ppm |
| ECS-3953M-250-B-TR | ECS晶振 | ECS-3953M | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3963-250-AU-TR | ECS晶振 | ECS-3963 | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| ECS-3953M-500-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3951M-160-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3951M-BN | XO | 16 MHz | HCMOS | 5V | ±50ppm |
| ECS-3953M-250-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3953M-120-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| ECS-3953M-018-BN-TR | ECS晶振 | ECS-3953M-BN | XO | 1.8432 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
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