KVG晶振新應(yīng)用手冊解鎖可靠方案滿足最高要求

來源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2025-10-23 08:47:12【大中小】

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KVG晶振新應(yīng)用手冊解鎖可靠方案滿足最高要求
KVG晶振集團創(chuàng)立于1946年,彼時,第二次世界大戰(zhàn)的硝煙剛剛散去,百廢待興,物理學(xué)家KurtKlingsporn懷揣著對晶體技術(shù)的熱愛與對未來科技發(fā)展的前瞻性眼光,創(chuàng)立了KVG公司.公司成立后不久,便遷至Neckarbischofsheim,這里也成為了KVG日后不斷發(fā)展壯大的核心基地.在長達(dá)數(shù)十年的發(fā)展歷程中,KVG始終專注于頻率控制產(chǎn)品領(lǐng)域,不斷探索創(chuàng)新,攻克了一個又一個技術(shù)難題.從最初的石英晶體振蕩器的研發(fā)生產(chǎn),到后來逐步拓展到有源晶振,TCXO溫補晶振,VCXO壓控晶振,OCXO恒溫晶振,濾波器和振蕩器等多個產(chǎn)品線,KVG憑借著深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新投入,在行業(yè)內(nèi)樹立了卓越的口碑.1963年,KVG率先使用合成晶體材料,開啟了晶振材料應(yīng)用的新篇章,為后續(xù)晶振性能的提升奠定了堅實基礎(chǔ),1968年,成功生產(chǎn)溫度補償晶振TCXOs,滿足了市場對不同環(huán)境下晶振頻率穩(wěn)定性的需求,1983年,研發(fā)基于晶體的傳感器和OCXOs,進一步拓展了晶振的應(yīng)用領(lǐng)域,1997年,晶體陶瓷在OCXOs和精準(zhǔn)晶體的生產(chǎn)中被實際使用,使得KVG在高端晶振市場占據(jù)了重要地位,聞名世界.1996年,KVG成為美國Dover有限公司在歐洲的晶體與晶體振蕩器產(chǎn)品的合作伙伴,借助Dover的資源和市場渠道,KVG進一步擴大了其在全球的影響力,產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)于更多的行業(yè)和客戶.到了2002年5月,KVG重塑獨立實體,新的領(lǐng)導(dǎo)團隊?wèi){借豐富的行業(yè)經(jīng)驗和創(chuàng)新精神,帶領(lǐng)KVG開啟了新的發(fā)展征程,持續(xù)在溫控OCXOs領(lǐng)域進行最新的研發(fā),并不斷擴展高頻晶體振蕩器的產(chǎn)品線.如今,KVG已成為晶體和晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域的當(dāng)之無愧的領(lǐng)先者,其產(chǎn)品的頻率范圍覆蓋25kHz-1.3G,基本上能滿足所有應(yīng)用場景對晶振的需求.無論是在技術(shù)研發(fā),生產(chǎn)工藝,還是產(chǎn)品性能和質(zhì)量上,KVG都代表著當(dāng)今世界的先進水平,為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn).

新應(yīng)用手冊:為最高要求而生
(一)設(shè)計理念與目標(biāo)
KVG晶振全新應(yīng)用手冊的誕生,承載著KVG對品質(zhì)和可靠性的不懈追求.在設(shè)計理念上,它緊緊圍繞滿足最高要求這一核心目標(biāo),從研發(fā),生產(chǎn)到應(yīng)用,每一個環(huán)節(jié)都經(jīng)過精心打磨.隨著航天,通信,醫(yī)療設(shè)備,汽車電子等高精尖領(lǐng)域的快速發(fā)展,對晶振的性能要求達(dá)到了前所未有的高度.在航天領(lǐng)域,衛(wèi)星通信晶振的精準(zhǔn)定位和通信依賴于高穩(wěn)定性的晶振,哪怕是極其微小的頻率偏差,都可能導(dǎo)致衛(wèi)星信號傳輸出現(xiàn)誤差,影響整個航天任務(wù)的執(zhí)行,在5G通信網(wǎng)絡(luò)中,基站需要處理海量的數(shù)據(jù)傳輸,對晶振的頻率穩(wěn)定度和相位噪聲要求極高,只有穩(wěn)定可靠的晶振才能確保信號的準(zhǔn)確調(diào)制和解調(diào),實現(xiàn)高速,低延遲的數(shù)據(jù)傳輸.KVG深刻認(rèn)識到這些行業(yè)需求,將手冊的設(shè)計理念定位為為這些高要求領(lǐng)域提供最可靠的解決方案.手冊不僅是一本技術(shù)資料,更是KVG與各行業(yè)客戶之間的橋梁,它傳遞著KVG對品質(zhì)的執(zhí)著,以及為客戶提供全方位支持的決心,旨在幫助客戶在復(fù)雜的應(yīng)用場景中,輕松選擇和使用最適合的KVG晶振產(chǎn)品,實現(xiàn)設(shè)備性能的最優(yōu)化.
(二)技術(shù)指標(biāo)的卓越呈現(xiàn)
翻開這本應(yīng)用手冊,首先映入眼簾的是KVG晶振一系列令人矚目的技術(shù)指標(biāo),這些指標(biāo)是KVG晶振卓越性能的直接體現(xiàn).頻率范圍方面,KVG晶振的產(chǎn)品覆蓋了25kHz-1.3G的廣闊區(qū)間,能夠滿足幾乎所有應(yīng)用場景對頻率的需求.無論是低頻領(lǐng)域的電子計量設(shè)備,還是高頻領(lǐng)域的5G通信基站和高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),都能在KVG晶振的產(chǎn)品系列中找到合適的型號,這種廣泛的頻率覆蓋能力,使得KVG晶振在市場上具有極強的競爭力.頻率穩(wěn)定度是晶振性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一,KVG晶振在這方面表現(xiàn)出色,其高端晶振的頻率穩(wěn)定度可以達(dá)到10-9級別.以O(shè)CXO-3000SC為例,其頻穩(wěn)為±2x10^-9,這意味著在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi),晶振的頻率偏差極小,能夠為對頻率精度要求極高的設(shè)備提供穩(wěn)定的時鐘信號.相比之下,行業(yè)內(nèi)普通晶振的頻率穩(wěn)定度通常在±20ppm左右,KVG晶振的優(yōu)勢顯而易見.相位噪聲和抖動是衡量晶振短期穩(wěn)定度的重要指標(biāo),對信號的質(zhì)量有著直接影響.在通信,雷達(dá)系統(tǒng)晶振領(lǐng)域,低相位噪聲和抖動的晶振能夠有效提高信號的抗干擾能力和分辨率,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和可靠性.KVG晶振通過先進的設(shè)計技術(shù)和制造工藝,有效降低了相位噪聲和抖動,例如V-850采用倍頻器(過濾諧波)技術(shù),具有高頻,低抖動(<0.1psrms1kHz-20MHz)的特點,為高端應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)的時鐘解決方案.這些卓越的技術(shù)指標(biāo),不僅是KVG晶振技術(shù)實力的象征,更是其滿足最高要求的有力保障,使得KVG晶振在眾多競爭對手中脫穎而出,成為各行業(yè)客戶信賴的選擇.

(三)應(yīng)用領(lǐng)域全覆蓋
KVG晶振憑借其出色的性能,在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,而這本新應(yīng)用手冊則為不同行業(yè)的客戶提供了詳細(xì)的應(yīng)用指導(dǎo).在電信網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域,無論是ATM,SDH還是SONET等傳輸系統(tǒng),都需要高精度,高可靠性的晶振來確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸和交換.KVG晶振的有源晶振產(chǎn)品以其穩(wěn)定的性能,為這些電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備提供了穩(wěn)定的時鐘信號,保障了整個網(wǎng)絡(luò)的高效運行.在5G基站中,KVG晶振的OCXO產(chǎn)品能夠滿足基站對頻率穩(wěn)定度和相位噪聲的嚴(yán)格要求,助力5G網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)高速,低延遲的數(shù)據(jù)傳輸.在移動系統(tǒng)方面,如GSM,CDMA,WCDMA,3G和UMTS等移動通信標(biāo)準(zhǔn),KVG晶振同樣發(fā)揮著重要作用.手機,基站等移動設(shè)備需要晶振提供精確的時鐘信號,用于信號的調(diào)制解調(diào),頻率控制等關(guān)鍵功能.KVG晶振的溫補晶振(TCXO晶振)產(chǎn)品具有良好的溫度穩(wěn)定性和頻率精度,能夠在不同的環(huán)境溫度下保持穩(wěn)定的性能,確保移動設(shè)備的通信質(zhì)量.電子計量領(lǐng)域?qū)д竦木群头€(wěn)定性要求也很高,例如電表,水表,燃?xì)獗淼戎悄苡嬃吭O(shè)備,需要晶振提供準(zhǔn)確的時鐘信號,以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的精確采集和傳輸.KVG晶振的高精度晶振產(chǎn)品能夠滿足這些計量設(shè)備的需求,保證計量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性.在智能電表中,KVG晶振為微控制單元(MCU)主控模塊提供穩(wěn)定的基頻,確保電表的數(shù)據(jù)處理和通信功能正常運行.除了以上領(lǐng)域,KVG晶振還在汽車電子,醫(yī)療設(shè)備,航空航天等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用.在汽車電子中,用于發(fā)動機控制單元,車載導(dǎo)航系統(tǒng)等設(shè)備,在醫(yī)療設(shè)備中,為核磁共振成像儀,心臟起搏器等提供穩(wěn)定的時鐘信號,在航空航天領(lǐng)域,保障衛(wèi)星,飛機等設(shè)備的通信和導(dǎo)航系統(tǒng)正常工作.這本應(yīng)用手冊詳細(xì)列舉了這些應(yīng)用案例,為客戶展示了KVG晶振在不同行業(yè)的適用性和重要性,幫助客戶更好地了解和應(yīng)用KVG晶振產(chǎn)品.
可靠解決方案深度剖析
(一)針對常見問題的解決策略
在晶振的實際使用過程中,常常會遇到各種問題,這些問題嚴(yán)重影響著電子設(shè)備的正常運行.不起振和頻率偏移是最為常見的問題之一,給眾多工程師和用戶帶來了極大的困擾.晶振不起振的原因較為復(fù)雜,可能是由于負(fù)載電容不合適,晶振通常需要外接兩個電容來輔助起振,如果電容值與晶振不匹配,就可能導(dǎo)致起振失敗.反饋電阻缺失或數(shù)值不合適,也會使振蕩電路無法閉環(huán)啟動,從而無法讓晶振正常工作.驅(qū)動芯片配置錯誤也是一個常見原因,例如STM32,ESP32等主控芯片,需要在軟件中設(shè)置為"外部晶振模式",若未正確設(shè)置,即便電路硬件連接正確,晶振也不會起振.此外,晶振本身損壞,如內(nèi)部石英片斷裂或老化,以及PCB布線問題,如晶振附近布線過長,過細(xì)或受干擾嚴(yán)重,都會影響振蕩效果,導(dǎo)致晶振不起振.針對這些問題,KVG晶振在新應(yīng)用手冊中提供了詳細(xì)的解決方法和預(yù)防措施.在負(fù)載電容方面,手冊中明確給出了不同型號晶振所匹配的負(fù)載電容值,工程師可以根據(jù)手冊中的數(shù)據(jù),準(zhǔn)確選擇合適的電容,確保晶振能夠順利起振.對于反饋電阻,手冊中建議在晶振兩端并聯(lián)一個約1MΩ的反饋電阻,以幫助振蕩電路啟動,并強調(diào)了反饋電阻數(shù)值對振蕩效果的影響,為工程師提供了重要的參考依據(jù).在驅(qū)動芯片配置方面,手冊中針對常見的主控芯片,如STM32系列,詳細(xì)說明了如何在軟件中進行正確的配置,包括相關(guān)寄存器的設(shè)置等,幫助工程師避免因軟件配置錯誤而導(dǎo)致晶振不起振的問題.為了防止晶振本身損壞,KVG在生產(chǎn)過程中采用了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測流程,確保每一顆出廠的晶振都經(jīng)過了全面的測試,降低了因晶振質(zhì)量問題而不起振的概率.在PCB布線方面,手冊中給出了具體的布線建議,如晶振應(yīng)盡量靠近芯片,布線要短而粗,避免與其他信號線交叉等,以減少干擾,保證晶振的正常振蕩.

頻率偏移也是晶振使用中常見的問題,它會導(dǎo)致設(shè)備性能下降,甚至出現(xiàn)故障.溫度變化是影響晶振頻率穩(wěn)定性的主要因素之一,晶振的諧振頻率會隨著溫度的升高或降低而發(fā)生改變.這是因為晶振內(nèi)部的晶體材料具有一定的溫度系數(shù),當(dāng)溫度發(fā)生變化時,晶體材料的物理特性也會隨之改變,進而導(dǎo)致晶振的頻率偏移.負(fù)載變化,電源電壓波動以及晶振老化等因素,也會對晶振的頻率穩(wěn)定性產(chǎn)生影響.當(dāng)晶振的負(fù)載發(fā)生變化時,其輸出頻率也會相應(yīng)地發(fā)生變化,電源電壓不穩(wěn)定會干擾晶振頻率,電壓的任何微小變化都可能導(dǎo)致頻率偏移,隨著時間的推移,晶體材料的物理性質(zhì)逐漸變化,會引起長期的頻率漂移.
KVG晶振應(yīng)用手冊針對頻率偏移問題,提供了一系列有效的解決措施.對于溫度變化引起的頻率偏移,KVG晶振采用了先進的溫度補償技術(shù).以溫補晶振(TCXO)為例,它通過內(nèi)置的溫度傳感器實時監(jiān)測晶振的工作溫度,然后根據(jù)晶振的溫度系數(shù),利用模擬或數(shù)字電路對頻率進行補償,從而有效減少溫度變化對晶振頻率的影響,提高晶振的頻率穩(wěn)定性.手冊中詳細(xì)介紹了這種TCXO溫度補償晶振技術(shù)的工作原理和應(yīng)用案例,幫助客戶更好地理解和使用.為了減少負(fù)載變化對晶振頻率的影響,手冊中建議工程師在設(shè)計電路時,要充分考慮晶振的負(fù)載特性,合理選擇和調(diào)整負(fù)載電路參數(shù),使晶振在不同的負(fù)載條件下都能保持穩(wěn)定的頻率輸出.在電源穩(wěn)壓方面,KVG晶振建議使用高質(zhì)量的電源穩(wěn)壓芯片,并在電源電路中增加去耦電容,以減少電源電壓波動對晶振頻率的干擾,確保晶振得到穩(wěn)定,清潔的電源供給.針對晶振老化問題,手冊中給出了晶振的預(yù)期使用壽命和老化特性曲線,建議客戶在設(shè)備使用一定時間后,根據(jù)實際情況對晶振進行更換或校準(zhǔn),以保證設(shè)備的正常運行.
(二)定制化服務(wù)的獨特優(yōu)勢
在當(dāng)今多樣化的電子市場中,不同客戶對晶振有著各種各樣的特殊需求.為了滿足這些個性化要求,KVG晶振提供了定制化服務(wù),并且在新應(yīng)用手冊中詳細(xì)介紹了定制流程和技術(shù)支持,展現(xiàn)出了獨特的優(yōu)勢.一些客戶可能需要特定頻率范圍的晶振,而標(biāo)準(zhǔn)的晶振產(chǎn)品無法滿足其需求.在通信設(shè)備的研發(fā)中,客戶可能需要一個非標(biāo)準(zhǔn)頻率的晶振來實現(xiàn)特定的通信協(xié)議或功能,在高端儀器儀表中,對晶振的頻率精度和穩(wěn)定性要求極高,普通晶振難以達(dá)到其標(biāo)準(zhǔn).還有客戶對晶振的工作溫度范圍,尺寸和封裝,功耗以及電氣參數(shù)等方面有著特殊要求.在航空航天領(lǐng)域,設(shè)備需要在極端溫度環(huán)境下工作,對晶振的溫度適應(yīng)性要求非常高,在可穿戴設(shè)備中,由于空間有限,需要晶振具有更小的尺寸和封裝.KVG晶振憑借其強大的技術(shù)實力和豐富的經(jīng)驗,能夠為客戶提供量身定制的晶振解決方案.在定制流程方面,手冊中明確指出,首先是需求分析與評估階段.KVG的專業(yè)團隊會與客戶進行深入的溝通,充分了解客戶的應(yīng)用場景及具體要求.這包括確定晶振的工作頻率,是標(biāo)準(zhǔn)的頻率還是一個特殊的頻率值,根據(jù)設(shè)備的空間限制,選擇合適的晶振封裝,根據(jù)應(yīng)用環(huán)境要求低功耗的設(shè)計,了解不同的應(yīng)用是否需要在極端溫度條件下工作,如高溫,高濕或低溫環(huán)境,對于高精度的應(yīng)用,明確晶振的頻率穩(wěn)定性和精度要求等.通過詳細(xì)的需求分析,KVG能夠準(zhǔn)確把握客戶的需求,為后續(xù)的定制設(shè)計提供堅實的基礎(chǔ).
在初步設(shè)計與模擬階段,KVG的工程師會使用專業(yè)的設(shè)計工具進行模擬,以確定晶振的最佳設(shè)計參數(shù).通過計算和模擬,優(yōu)化晶振的頻率穩(wěn)定性,相位噪聲,振蕩電路的功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo).模擬的結(jié)果能夠幫助團隊確保設(shè)計方案在實際使用中能符合客戶的技術(shù)要求,為后續(xù)的實際制造打下堅實基礎(chǔ).在樣品制作與測試階段,工程師會按照設(shè)計參數(shù)進行精密加工,制作出晶振樣品.樣品完成后,會進行嚴(yán)格的測試和驗證,包括頻率精度測試,溫度測試,負(fù)載能力測試,電氣特性測試等.客戶通常可以在此階段要求進一步的調(diào)整,確保樣品能夠滿足其實際使用條件.在生產(chǎn)制造與質(zhì)量控制階段,雖然定制晶振的生產(chǎn)過程與標(biāo)準(zhǔn)晶振的生產(chǎn)流程基本一致,但由于涉及到特殊要求,生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制尤為重要.KVG會根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和客戶要求進行嚴(yán)格的質(zhì)量管理,確保每一顆晶振的質(zhì)量.生產(chǎn)過程中,晶振的每個環(huán)節(jié)都會進行多次檢測和校驗,確保其工作穩(wěn)定性和電氣特性符合設(shè)計標(biāo)準(zhǔn).最后,在交付與售后服務(wù)階段,KVG會提供詳細(xì)的技術(shù)文檔,包括產(chǎn)品的參數(shù),應(yīng)用建議,測試報告等,幫助客戶更好地使用定制產(chǎn)品.此外,KVG還提供優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù),其技術(shù)支持團隊能夠幫助客戶在使用過程中解決任何問題,確保產(chǎn)品在實際應(yīng)用中的長期穩(wěn)定性.KVG晶振的定制化服務(wù)不僅能夠滿足客戶的特殊需求,還能為客戶帶來諸多好處.通過定制化設(shè)計,晶振能夠完美匹配客戶的獨特需求,確保設(shè)備運行的最佳性能.定制晶振可以根據(jù)客戶的應(yīng)用環(huán)境,頻率,功耗等要求進行優(yōu)化,從而顯著提升設(shè)備的整體性能,確保其在復(fù)雜環(huán)境下的高可靠性.雖然定制晶振的初期投入可能較高,但通過量產(chǎn)和長期使用,客戶可以獲得更具成本效益的解決方案.定制化晶振還能幫助客戶在技術(shù)上獲得獨特的優(yōu)勢,使其產(chǎn)品在市場中更具競爭力.
KVG晶振新應(yīng)用手冊解鎖可靠方案滿足最高要求

CPPC7L-A7BR-200.0TS	Cardinal	CPP	XO	200 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7B6-75.0TS	Cardinal	CPP	XO	75 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7-A7BR-162.0TS	Cardinal	CPP	XO	162 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7L-A7BP-33.333TS	Cardinal	CPP	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7-BP-12.096TS	Cardinal	CPP	XO	12.096 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC7L-B6-30.0TS	Cardinal	CPP	XO	30 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7L-A7B6-8.0PD	Cardinal	CPP	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7L-A7BR-25.1658TS	Cardinal	CPP	XO	25.1658 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7BP-40.0000TS	Cardinal	CPP	XO	40 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7L-B6-33.1776PD	Cardinal	CPP	XO	33.1776 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7-A7BR-166.0TS	Cardinal	CPP	XO	166 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7-BP-2.5TS	Cardinal	CPP	XO	2.5 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC7LZ-A7B6-81.1TS	Cardinal	CPP	XO	81.1 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7L-A7BP-1.0TS	Cardinal	CPP	XO	1 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7L-A7BP-41.6666TS	Cardinal	CPP	XO	41.6666 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7L-B6-36.864TS	Cardinal	CPP	XO	36.864 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7-A5B6-66.0TS	Cardinal	CPP	XO	66 MHz	CMOS	5V	±100ppm
CPPC7-A7BP-24.0TS	Cardinal	CPP	XO	24 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC5L-A7BP-25.0TS	Cardinal	CPP	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC5LZ-A7BP-33.0PD	Cardinal	CPP	XO	33 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC5-A7BP-27.12TS	Cardinal	CPP	XO	27.12 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC5L-A7BR-100.0TS	Cardinal	CPP	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC5-A7BP-40.68TS	Cardinal	CPP	XO	40.68 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC7-A5B6-32.0TS	Cardinal	CPP	XO	32 MHz	CMOS	5V	±100ppm
CPPC7L-A7B6-25.0TS	Cardinal	CPP	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7-A7BR-32.0TS	Cardinal	CPP	XO	32 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7L-A7BR-11.392TS	Cardinal	CPP	XO	11.392 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7BP-24.0TS	Cardinal	CPP	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7-A7BP-4.352TS	Cardinal	CPP	XO	4.352 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC7L-A7BR-12.0TS	Cardinal	CPP	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7Z-A7BR-4.0TS	Cardinal	CPP	XO	4 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7L-A7BP-25.0PD	Cardinal	CPP	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7-A7BP-50.0TS	Cardinal	CPP	XO	50 MHz	CMOS	5V	±50ppm
CPPC7-A7BR-7.5TS	Cardinal	CPP	XO	7.5 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7L-A7BR-120.0TS	Cardinal	CPP	XO	120 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7B6-28.636TS	Cardinal	CPP	XO	28.636 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7L-A7BR-60.0TS	Cardinal	CPP	XO	60 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7BP-25.0TS	Cardinal	CPP	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CPPC7-A7BR-134.0TS	Cardinal	CPP	XO	134 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7L-A7BR-127.6TS	Cardinal	CPP	XO	127.6 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7-B6-12.0TS	Cardinal	CPP	XO	12 MHz	CMOS	5V	±100ppm
CPPC7L-A7BR-66.666TS	Cardinal	CPP	XO	66.666 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CPPC7L-A7B6-3.6864TS	Cardinal	CPP	XO	3.6864 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7-A7BR-14.7456TS	Cardinal	CPP	XO	14.7456 MHz	CMOS	5V	±25ppm
CPPC7-B6-14.7456TS	Cardinal	CPP	XO	14.7456 MHz	CMOS	5V	±100ppm
CPPC7L-A7B6-32.0TS	Cardinal	CPP	XO	32 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CPPC7L-A7BR-144.0TS	Cardinal	CPP	XO	144 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
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