SIWARD在音叉晶振方面具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力

來(lái)源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2024-01-05 10:02:34【大中小】

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希華晶振提供一系列 32.768 kHz 音叉晶體，採(cǎi)用最先進(jìn)光刻制程技術(shù)，來(lái)實(shí)現(xiàn)卓越的穩(wěn)定性和信賴性。音叉型晶體具備低功耗特性 0.1 µW 及微型設(shè)計(jì)，最小尺寸至1.6 x 1.0mm，適合應(yīng)用在穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)裝置、無(wú)線通訊、消費(fèi)性電子產(chǎn)品、筆記型電腦、智慧電錶、安全系統(tǒng)和個(gè)人醫(yī)療設(shè)備。32.768 kHz 音叉型晶體系列包括 XTL72 (3.2 x 1.5 mm)、微型 XTL74 (2.0 x 1.2 mm) 和超微型 XTL75 (1.6 x 1.0 mm)，支援 ±20ppm 的標(biāo)準(zhǔn)頻率容差，并提供多種負(fù)載電容選項(xiàng)，包括 12.5pF、9pF、7pF 等，一般工作溫度范圍為 -40°C 至 85°C， AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的汽車和工業(yè)應(yīng)用可擴(kuò)展至 -40°C 至 125°C。
整合上下游，開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)，自給自足.希華在光蝕刻制程技術(shù)上的創(chuàng)新與突破，結(jié)合臺(tái)灣唯一擁有上游長(zhǎng)晶技術(shù)，整合上下游資源的能力，使音叉型晶體從開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)自己自足，不需外求，更加提升希華音叉晶體的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。主要生產(chǎn)尺寸，從 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量產(chǎn)。

流程分工圖

音叉晶體生產(chǎn)流程，從南科的晶棒生產(chǎn)、切割、研磨成wafer原材，配合光蝕刻制程生產(chǎn)技術(shù)，制作成音叉型晶體 wafer，最后于南科專線生產(chǎn)，產(chǎn)能自己自足不需外求，不僅確保高品質(zhì)水晶晶棒之供應(yīng)，也能充分掌握產(chǎn)能及交貨期。

各種尺寸與設(shè)計(jì)能力

從大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量產(chǎn)，具備晶片設(shè)計(jì)能力，因應(yīng)各種不同領(lǐng)域應(yīng)用與客戶需求。
設(shè)立專線
于臺(tái)南有專屬音叉型晶體生產(chǎn)高度自動(dòng)化工廠，設(shè)立專線以確保產(chǎn)品品質(zhì)，達(dá)到最高要求。
音叉晶片能力

技術(shù)層次

高精度產(chǎn)品的微機(jī)電技術(shù)，最重要的是產(chǎn)品尺寸精細(xì)度要求。利用微機(jī)電技術(shù)都能掌握至2um以內(nèi)，比起傳統(tǒng)加工方式更為穩(wěn)定，良率也較高。
創(chuàng)新性
音叉產(chǎn)品是一種非常講求尺寸精度的產(chǎn)品，故在生產(chǎn)過(guò)程中如何控制產(chǎn)品尺寸非常重要的課題，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品還并不多，畢竟小型化技術(shù)是相當(dāng)困難。希華采用最先進(jìn)光蝕刻制程技術(shù)，使小型化產(chǎn)品能有更穩(wěn)定的生產(chǎn)條件，不但縮短了生產(chǎn)時(shí)間，并大大提升了電性能力，在生產(chǎn)的良率上以及客戶的信賴性上，都有非常大的突破。
可行性與商業(yè)性
市面上的音叉型石英晶振種類繁多，需求最大量的產(chǎn)品外觀為3.2 x 1.5 mm，但對(duì)應(yīng)市場(chǎng)上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情況之下，在產(chǎn)能提升狀態(tài)下首當(dāng)其沖的就是成本問(wèn)題，希華有著領(lǐng)先的光蝕刻制程技術(shù)，能快速對(duì)應(yīng)不同尺寸產(chǎn)品因應(yīng)各種需求。加上良率的提升，以最低成本作出最大產(chǎn)能，不僅僅能在市場(chǎng)上占有一席之地，還具有非常大的競(jìng)爭(zhēng)力。

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