Jauch晶振公司講述MEMS JSOLC邊緣控制

來源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-05-23 10:21:48【大中小】

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MEMS是一種微機(jī)電系統(tǒng)，是比較新型的器件制造技術(shù)，MEMS晶振的主要材料是硅晶，它具有可任意選定一個(gè)頻率的特點(diǎn)，并且MEMS可編程振蕩器通常都具有低相噪和低抖動(dòng)性能。Jauch晶振公司是法國的頻率元件制造商，專門研發(fā)和生產(chǎn)MEMS振蕩器，并提供相關(guān)的信息，和技術(shù)資料，以下內(nèi)容就是Jauch提供的，關(guān)于MEMS JSOLC邊緣控制的知識(shí)，金洛鑫電子整理好后，分享給廣大新老客戶，以及工程師們。

全新的Jauch JSOLC振蕩器系列提供獨(dú)特的功能-邊緣控制！邊沿控制是一項(xiàng)高級功能，可根據(jù)客戶的需求選擇振蕩器輸出信號的邊沿壓擺率，從而控制EMI耗散或驅(qū)動(dòng)高容性負(fù)載。

邊緣控制和信號擺動(dòng)：

在較高頻率下，如果通過特定邊沿控制設(shè)置與現(xiàn)有輸出負(fù)載電容的組合來配置太慢的信號邊沿，則輸出信號可能不再是軌到軌擺動(dòng)。請參考下表，其中顯示了最大石英晶體振蕩器輸出頻率，具體取決于實(shí)際邊沿控制設(shè)置和仍將顯示軌到軌輸出擺幅的輸出負(fù)載。如果不需要軌到軌輸出擺幅，則邊沿控制設(shè)置可用于有意地控制輸出幅度。為了估計(jì)信號在軌到軌擺動(dòng)時(shí)的最大頻率，可以使用以下公式，該公式基于閾值水平為10％和90％的典型上升和下降時(shí)間Tr和Tf：

Jauch晶振公司講述MEMS JSOLC邊緣控制

例1-高頻下的有限擺動(dòng)

條件：電源電壓3.3V，CL=30pF，默認(rèn)邊沿控制設(shè)置D=3，頻率為3

例2-恒定負(fù)載上升/下降沿與邊沿控制設(shè)置的變化條件：電源電壓3.3V，CL=30pF，30.0MHz，邊沿控制設(shè)置0~7

默認(rèn)邊沿控制設(shè)置和電源電壓：

由于某個(gè)邊沿控制設(shè)置的上升和下降時(shí)間以及某個(gè)輸出負(fù)載電容也取決于電源電壓，請參考標(biāo)稱電源電壓的邊沿控制表。請注意，默認(rèn)設(shè)置“D”隨標(biāo)稱電源電壓而變化。

JSOxxC1LC（1~110MHz）與電源電壓的參考邊沿控制表：

注意：突出顯示有源晶振相應(yīng)電源電壓下的默認(rèn)邊沿控制設(shè)置“D”。在電源電壓為3.3V/3.0V/2.8V/1.8V時(shí)，上升時(shí)間Tr和下降時(shí)間Tf以閾值電平10％~90％和電源電壓的20％~80％[ns]顯示。

邊緣控制默認(rèn)選擇：

默認(rèn)的邊沿控制選擇“D”可用于大多數(shù)應(yīng)用，這些應(yīng)用應(yīng)驅(qū)動(dòng)30pF的最大負(fù)載電容，最高可達(dá)~83MHz，最高可達(dá)83pF，高于83MHz。但是，EdgeControl為您提供了更大的靈活性，使輸出驅(qū)動(dòng)器性能與電路特性相匹配。

邊緣控制選擇快速邊緣：

邊緣控制可配置為通過加速信號邊沿與標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容的默認(rèn)邊沿控制設(shè)置來驅(qū)動(dòng)>30pF的高容性負(fù)載。這可能有助于消除額外的信號緩沖，同時(shí)保持全輸出擺幅。此外，加速信號邊沿可以改善具有噪聲電源軌的系統(tǒng)中的時(shí)鐘抖動(dòng)，因?yàn)楦斓纳仙睾拖陆笛貢r(shí)間降低了接收時(shí)鐘信號被系統(tǒng)噪聲疊加的電路中的H或L電平的檢測不確定性。但是，如果選擇快速信號邊沿，振蕩器的電源電流將略微增加。

慢邊的邊緣控制選擇：

慢信號邊沿在EMI敏感電路環(huán)境中可能是有用的，但重要的是要密切關(guān)注后續(xù)電路所需的上升和下降時(shí)間以確保信號完整性。當(dāng)輸入到輸出負(fù)載的輸出電流減小時(shí)，減小邊沿壓擺率可以節(jié)省振蕩器的供電電流。

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