經(jīng)常有人在問的晶振問題終于有了完整答案
頻率控制元器件的出現(xiàn)和使用已經(jīng)至少有一個世紀之久,尤其是晶振這種最常用的,幾乎被科學(xué)家和制造商們研究透徹,然而還會時不時的發(fā)現(xiàn)新的東西。目前石英晶體和石英晶體振蕩器制造技術(shù)已經(jīng)非常成熟了,但晶體還有很多秘密沒有被發(fā)現(xiàn),除了常規(guī)的一些參數(shù)規(guī)格,溫度特性,老化率等常見問題。在與部分工廠和公司工程溝通時,往往會問到一些更深層,更技術(shù)化的問題,以下是廣大客戶最想問的一些技術(shù)類問題,現(xiàn)在金洛鑫電子給大家整理出最完整的回答。
問題1:AT條形晶體和AT圓形坯料或晶圓晶體之間的主要區(qū)別是什么?
答:這兩種石英晶體之間的明顯區(qū)別在于它們的大小。AT圓形空白,或平面平面類型水晶,已存在50年,用于許多HC-49/U(MP-1)型晶體。HC-49/U中使用的晶體可以根據(jù)晶體的頻率,直徑范圍為0.200“至0.350”。由于表面積大,所以圓形坯料可以具有相對大的電極。這對于需要具有寬拉伸性的晶體是理想的。而且,更大電極和毛坯尺寸通常表現(xiàn)出低ESR值。HC-49/U圓形空白晶體也適用于寬溫范圍(-55℃至+125℃,5℃至+125℃),同時具有良好的穩(wěn)定性。
許多圓形毛坯設(shè)計可實現(xiàn)0.1mW至2mW的驅(qū)動電平。確定圓形空白的頻率按其厚度和直徑;晶體毛坯越薄,頻率越高。正因為如此,基本頻率可能達到約33MHZ,但由于破損導(dǎo)致產(chǎn)量損失。這些高頻基礎(chǔ)是脆弱的,可以如果受到極端沖擊和振動環(huán)境的影響,最終用戶很容易損壞。幾乎任何來自約的頻率使用HC-49/U型進口晶振可以制成1.8MHz至200MHz。AT-strip晶體已經(jīng)存在了大約17年,并在日本開發(fā)。約90%的AT-strip晶體制造業(yè)在遠東完成。AT條形晶體采用一小塊矩形石英,尺寸只有一小部分HC-49/U圓形毛坯設(shè)計。它的長寬比和厚度決定了AT帶狀晶體的頻率。
3*8圓柱音叉晶體圖
由于表面積非常小,只有一個小電極可以附著在晶體條上。這個的大小晶體和電極也使得AT條形晶體不適用于需要寬拉伸性(±200ppm)的應(yīng)用。對于給定頻率,AT帶狀晶體通常表現(xiàn)出比HC-49/U圓形坯料更高的ESR值。每個頻率AT條形水晶設(shè)計獨特。這意味著并非所有給定范圍內(nèi)的頻率都是設(shè)計的發(fā)達。AT-strip晶體可在3.579545MHz至200.00MHz范圍內(nèi)的特定頻率下使用。主要優(yōu)點使用AT-strip晶體與其尺寸有關(guān)?,F(xiàn)在可提供小至2.5X3.2X0.8mm的表面貼裝3225貼片晶振因為AT-strip技術(shù)的進步。該技術(shù)的其他進步是提供改善的ESR,溫度穩(wěn)定性,和更高的基頻。因為AT-strip晶體的質(zhì)量比HC-49/U圓形坯料小得多型水晶,通常更適合高沖擊和振動環(huán)境。它們的小尺寸也使它們成為理想的選擇小型封裝表面貼裝振蕩器。
3225貼片晶振圖
問題2:與晶體有關(guān)的術(shù)語“老化”是什么意思?
答:老化是晶體隨時間變化的頻率。老齡化可以是正向或負向。老齡化影響有助于晶體所用振蕩器的整體頻率漂移。老化的原因有多種:應(yīng)力消除在石英晶體諧振器的安裝結(jié)構(gòu),內(nèi)部污染,吸收水分和石英材料的變化。一些這些條件可能由于晶體暴露于沖擊和振動水平,或工作溫度高于此而發(fā)生建議的限制,或由于焊接或玻璃與金屬密封件劣化導(dǎo)致的氣密性損失。顆粒污染,它附著在晶體晶片上,會導(dǎo)致晶體頻率的負向偏移。晶體質(zhì)量或電極損失材料通常表現(xiàn)出晶體頻率的正向變化。為了減少晶體的老化,需要使用該單元在超潔凈的環(huán)境中制造,并密封在密封包裝中。晶體可以在一定程度上“預(yù)老化”,盡量減少衰老的影響。因為老化特性傾向于遵循對數(shù)曲線,大部分是晶體的老化將在其生命的第一年發(fā)生。通過適當?shù)奶幚?,可以?b>貼片晶振具有±0.5ppm的老化特性至177,每年1ppm的范圍。
問題3:為什么晶體具有頻率容差和穩(wěn)定性,而振蕩器僅指定為穩(wěn)定性要求?
答:這個問題的答案有點像“specmanship”問題。通常假設(shè)某些晶體被使用振蕩器電路的類型。用戶將知道該石英晶體振蕩器的總穩(wěn)定性加上老化需要超出期望值工作溫度。例如,如果要求是100ppm最大總允許頻率偏差,包括老化,在0℃到70℃的溫度范圍內(nèi),他可以訂購一種在室溫(25℃)下具有50ppm容差的晶體在工作溫度下的穩(wěn)定性為50ppm。在這些情況下,溫度穩(wěn)定性參考的是頻率在室溫下。
晶振溫度曲線圖
對于振蕩器,最終用戶通常只關(guān)心總體穩(wěn)定性,包括工作溫度。在在這種情況下,他可能要求振蕩器在0℃到70℃的溫度范圍內(nèi)需要100ppm的穩(wěn)定性,包括老化,如MHO+13TAD。在實際的制造過程中,振蕩器的構(gòu)造與上述晶體的構(gòu)造大致相同。在產(chǎn)品設(shè)計中考慮了振蕩器電路效應(yīng)的變化。內(nèi)部使用的進口晶體振蕩器在25°C時的初始容差為50ppm。該晶體設(shè)計為在特定穩(wěn)定性(50ppm)下運行超過工作溫度。安裝在振蕩器中時,總穩(wěn)定性總和在100ppm以內(nèi)規(guī)范。
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