關(guān)于晶振的知識(shí)你了解多少呢？許多采購和工程對(duì)于晶體或振蕩器，可能只是知道基礎(chǔ)常規(guī)的精準(zhǔn)度，負(fù)載電容，溫度范圍，頻率，封裝尺寸，電源電壓，輸出方式等常見幾種。但無論是石英晶體，還是晶體振蕩器的制造工藝，和相關(guān)信息都是非常多的，生產(chǎn)一顆石英晶振并不是想象中那么簡單，一個(gè)專業(yè)的石英水晶組件工程師，也未必知道全部的晶振相關(guān)知識(shí)，以下是金洛鑫電子整理的，其它非常見的晶振技術(shù)詞定義。

上升時(shí)間/下降時(shí)間：

上升時(shí)間（TR）：

輸出電壓從邏輯“1”電平的10％變?yōu)檫壿?ldquo;1”電平的90％所需的時(shí)間。以nS為單位測(cè)量。

下降時(shí)間（TF）：

輸出電壓從邏輯“1”電平的90％變?yōu)檫壿?ldquo;1”電平的10％所需的時(shí)間。以nS為單位測(cè)量。

系列與并行:

并聯(lián)諧振晶體用于在振蕩器反饋環(huán)路中包含無功分量（電容）的電路。這些電路取決于無功元件和晶體，以實(shí)現(xiàn)在指定頻率下啟動(dòng)和維持振蕩所需的相移。串聯(lián)諧振晶體適用于振蕩器反饋環(huán)路中不含無功元件的電路。請(qǐng)參見圖A的系列和圖B的并聯(lián)諧振晶體：

頻率容差/溫度穩(wěn)定性：

晶體或振蕩器的頻率容差定義為晶體或振蕩器頻率與25°C時(shí)的絕對(duì)值的初始偏差。頻率穩(wěn)定性超過溫度定義為頻率偏差與25°C時(shí)測(cè)得的頻率相比超出規(guī)定的工作溫度范圍（IE0°C至+70°C）。石英晶振穩(wěn)定性公差有時(shí)表示為頻率偏差的百分比，而不是百萬分之一（PPM）。轉(zhuǎn)換如下：

01％=100PPM

005％=50PPM

001％=10PPM等。

需要指定晶體或石英晶體振蕩器的穩(wěn)定容差以及工作溫度范圍。例如，晶體可以被指定為在-45℃至+85℃的操作溫度下具有±50PPM的頻率穩(wěn)定性容差，并且在+25℃下具有±50PPM的頻率容差。

抗沖擊性：

晶體或振蕩器的抗沖擊性被定義為晶體或振蕩器可以保持其性能特征的最大單脈沖沖擊，通常在G中定義。

啟用/禁用時(shí)間：

定義為石英振蕩器在斷言輸出啟用或禁用（輸出穩(wěn)定）時(shí)達(dá)到指定輸出幅度和頻率所需的時(shí)間。

輸出對(duì)稱性：

輸出對(duì)稱性（也稱為占空比）定義為輸出波形的正部分的時(shí)間間隔與輸出波形的總周期的比率。它通常以％定義。

等效電路：

等效電路（如圖A所示）描述了以其固有諧振頻率工作的石英晶體單元的電活動(dòng)。并聯(lián)電容（Co）表示晶體電極的電容加上支架和引線的電容。R1，C1和L1構(gòu)成晶體的“運(yùn)動(dòng)臂”，并被稱為運(yùn)動(dòng)參數(shù)。運(yùn)動(dòng)電感（L1）代表貼片晶體單元的振動(dòng)質(zhì)量。運(yùn)動(dòng)電容（C1）代表石英的彈性，電阻（R1）代表石英內(nèi)發(fā)生的體積損失。

絕對(duì)時(shí)鐘抖動(dòng)：

時(shí)鐘信號(hào)周期的最大變化，以距參考（觸發(fā)）邊沿1個(gè)周期的間隔測(cè)量。

終止阻抗：

負(fù)載阻抗或輸出端接是指必須連接到濾波器輸出端子的阻抗，以實(shí)現(xiàn)正確的響應(yīng)。源阻抗或輸入端接是指驅(qū)動(dòng)濾波器的電路的輸出阻抗。

頻率牽引范圍：

VCXO振蕩器的頻率牽引范圍定義為可通過控制電壓獲得的輸出頻率的最大變化。

動(dòng)作抵抗：

也稱為等效串聯(lián)電阻。等效串聯(lián)電阻是石英晶體等效電路的電阻元件（R1）。（參見下面的等效電路）該電阻表示固有諧振頻率下晶體的等效阻抗（串聯(lián)諧振）ESR由晶體阻抗（CI）測(cè)量儀測(cè)量。ESR值通常表示為以歐姆表示的最大值。ESR值隨頻率，操作模式，支架類型，晶體板尺寸，電極尺寸和安裝結(jié)構(gòu)而變化。

值得注意的是，AT-帶狀晶體設(shè)計(jì)在給定頻率下的ESR值通常高于標(biāo)準(zhǔn)（圓形空白）設(shè)計(jì)的ESR值。這在較低頻率下變得更加重要。當(dāng)從串聯(lián)諧振通孔HC-49/U型晶體轉(zhuǎn)變?yōu)槔肁T帶晶體的較小表面安裝型時(shí)，可以考慮由不同切口產(chǎn)生的ESR值的差異。當(dāng)電阻值達(dá)到某一點(diǎn)時(shí)，ESR變得至關(guān)重要，因?yàn)檎袷幤麟娐窡o法充分驅(qū)動(dòng)Quartz Crystal?？赡軙?huì)導(dǎo)致啟動(dòng)緩慢或不需要的操作模式。

駕駛級(jí)別：

振蕩晶體單元消耗的功率量。通常用毫瓦（mW）表示，通常用通過諧振器的電流或諧振器消耗的功率來表示。后者是優(yōu)選的。晶體的驅(qū)動(dòng)電平是逆變器或微處理器的輸入和輸出電容以及包括晶體在內(nèi)的所有其他外部元件的電抗的函數(shù)。為計(jì)算驅(qū)動(dòng)電平，使用“歐姆定律”。驅(qū)動(dòng)電平應(yīng)保持在最低限度，以避免穩(wěn)定性，老化，非線性耦合模式和其他非線性效應(yīng)的問題。然而，振蕩器的相位噪聲性能可以通過增加驅(qū)動(dòng)電平來增加，因此有時(shí)需要折衷。在oscilent規(guī)范中為每種類型的晶振指定了最大功耗。由于相對(duì)較低的最大驅(qū)動(dòng)水平，驅(qū)動(dòng)水平在音叉晶體中最為關(guān)鍵。使用音叉晶體的電路應(yīng)設(shè)計(jì)成避免過度驅(qū)動(dòng)晶體。

插入損失：

通帶中濾波器的功率損耗以dB表示。除非另有說明，否則濾波器的最大輸出點(diǎn)為0dB參考。插入損耗等于10LogPin/Pout。

頻率調(diào)整：

TCXO晶振產(chǎn)品配備了頻率調(diào)節(jié)功能，可以調(diào)節(jié)中心頻率。此功能允許補(bǔ)償初始頻率校準(zhǔn)和老化，并通過內(nèi)部微調(diào)器完成。這種調(diào)整也可以通過TCXO上的外部引線通過控制電壓提供。利用這種技術(shù)的振蕩器稱為溫度補(bǔ)償電壓控制晶體振蕩器或TCVCXO。

保證衰減：

最大保證功率降低，超出指定的頻率范圍。衰減通常以分貝（dB）表示。

調(diào)制帶寬：

調(diào)制帶寬定義為使用VCXO的控制電壓可以獲得的輸出頻率的最大變化率。

阻帶：

也稱為拒絕頻帶，這是需要最小信號(hào)傳輸?shù)念l率區(qū)域。表示為衰減超過指定最小值的頻率范圍。通過濾波器對(duì)信號(hào)強(qiáng)度進(jìn)行指定衰減的頻譜部分。

晶振屬于頻率控制元器件的其中一種，本身具有特殊的壓電效應(yīng)，通電后利用頻率振蕩功能工作，約80%以上的產(chǎn)品都會(huì)用到頻率元件，而晶振則是核心化電子零件。如今因?yàn)?G通信技術(shù)，AI人工智能，物聯(lián)網(wǎng)，智慧城市建設(shè)等新興行業(yè)的出現(xiàn)，貼片晶振和有源晶振越來越被需要，為了更好利用它，許多工廠/企業(yè)工程和技術(shù)，都開始研究和了解晶振。