1972年Q-Tech晶振公司在美國(guó)加利福尼亞州成立，自創(chuàng)辦以來(lái)，一直深入研究性能好的石英晶體振蕩器產(chǎn)品，并為太空空間站，航天設(shè)備供應(yīng)晶振，公司通過(guò)了ISO9001和AS9100認(rèn)證。主要服務(wù)井下探測(cè)，航天航空，軍工設(shè)備，通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域，改進(jìn)了小型化，高頻率，低成本的設(shè)計(jì)方案，Q-Tech晶體振蕩器融合了多項(xiàng)新的技術(shù)和工藝，專門為太空設(shè)備研發(fā)并生產(chǎn)出多款空間振蕩器。

空間產(chǎn)品歷史

1985年Q-Tech決定進(jìn)入太空應(yīng)用市場(chǎng)并收到MILSTAR計(jì)劃的第一份訂單。事實(shí)上，Q-Tech連續(xù)兩年獲得了TRW“年度供應(yīng)商獎(jiǎng)”。

1994年，Q-Tech成為幾乎所有衛(wèi)星的混合石英晶體振蕩器的主要供應(yīng)商制造商在美國(guó)。

1999年，Q-Tech因其對(duì)卡西尼計(jì)劃的貢獻(xiàn)而獲得JPL/NASA獎(jiǎng)。今天是2014年至今，Q-Tech在空間市場(chǎng)服務(wù)了29年，并且在設(shè)計(jì)方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步經(jīng)驗(yàn)豐富，品質(zhì)卓越，飛行歷史記載眾多，推出了大量新產(chǎn)品。

Q-TECH輻射硬度保證計(jì)劃

1.0資格

1.1所有活躍的EEE組件都具有輻射（總電離劑量，位移損傷，和單個(gè)事件影響）特征數(shù)據(jù)代表了飛行批次設(shè)備的部件飛行申請(qǐng)。

2.0總電離劑量測(cè)試

2.1總電離劑量（TID）是給定材料中由能量產(chǎn)生的吸收劑量電離輻射的沉積。TID是通過(guò)電離在介質(zhì)中沉積的能量的量度每單位質(zhì)量的輻射。

2.2總電離劑量（TID）是一種長(zhǎng)期失效機(jī)制，而SEE則是瞬時(shí)失效失敗機(jī)制。

2.3總電離劑量測(cè)試按照MIL-STD-883測(cè)試方法1019.7或MIL-STD-750測(cè)試方法1019.5。

2.4測(cè)試條件代表預(yù)期應(yīng)用中的最壞情況，通常為2倍余量。

2.5對(duì)于可能易受ELDRS影響的線性雙極集成電路和半導(dǎo)體器件，測(cè)試在0.001Rad（Si）/s至0.1Rad（Si）/s至50kRad（Si）或100kRad（Si）下進(jìn)行，兩者均為動(dòng)力和無(wú)動(dòng)力。

3.0位移損傷測(cè)試

3.1位移損傷（DD）是核相互作用的結(jié)果，通常是散射引起的晶格缺陷。質(zhì)子可能會(huì)導(dǎo)致雙極器件的位移損壞。移位損壞是由于質(zhì)子，電子和電子的累積長(zhǎng)期非電離劑量損傷中子。進(jìn)入的粒子和晶格原子之間的碰撞隨后發(fā)生位移來(lái)自原始晶格位置的原子。

3.2位移損壞試驗(yàn)按照MIL-STD-750試驗(yàn)方法1017.1或MIL-STD-883測(cè)試方法1017.2。

3.3可以用中子位移損傷或質(zhì)子位移損傷來(lái)表征轉(zhuǎn)換為等效的1MeV中子損傷能量密度。4.0組合總電離劑量和位移損傷效果.。

4.1如果使用單獨(dú)的樣品進(jìn)行總電離劑量和位移損傷，則效果如下按MIL-HBK-814中的描述進(jìn)行分析。

4.2樣品可用于提供的位移損傷和電離劑量測(cè)試在完全電離劑量測(cè)試之前進(jìn)行位移損傷（中子）測(cè)試。

5.0零件降級(jí)設(shè)計(jì)限制

5.1部件降級(jí)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)限制應(yīng)基于MIL-HBK-814以確保批次滿足0.99/90（99％的人口在90％置信水平）統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。特別GPSIII設(shè)計(jì)限制要求0.9999/90（99.99％和90％置信度）。

6.0單次事件（SEE）測(cè)試

6.1在空間軌道中使用的有源EEE組件，可能容易受到單一事件的影響所需的測(cè)試數(shù)據(jù)足以計(jì)算預(yù)期的單一事件影響率應(yīng)用。

6.2單事件效應(yīng)（SEE）是對(duì)電路正常運(yùn)行造成的干擾單個(gè)離子通過(guò)或靠近電路中的敏感節(jié)點(diǎn)。SEE可能具有破壞性或非破壞性的。破壞性SEE包括單事件閉鎖（SEL），單事件燒毀（SEB）和單事件門破裂（SEGR）。非破壞性SEE包括單事件擾亂（SEU），單事件瞬變（SET）和單事件功能中斷（SEFI）。

6.3重離子測(cè)試單事件閂鎖，燒壞，瞬態(tài)和紊亂。適當(dāng)?shù)钠姾凸ぷ鳁l件：最壞情況偏置和閉鎖溫度，燒壞。對(duì)于單一事件鐓粗，瞬態(tài)，偏置和工作條件是最低工作電壓和空間溫度環(huán)境。

6.4能量損失測(cè)量-線性能量轉(zhuǎn)移（LET）：測(cè)量材料中的能量沉積，例如硅。LET單位是MeV/mg/c㎡（每面密度的能量）。

6.5橫截面是一種易感性的度量，單位是c㎡（區(qū)域）。

Q-TECH設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)符合輻射規(guī)格限制

1.0查看每個(gè)客戶的輻射硬度要求。盡量確保任務(wù)的石英晶振參數(shù)因?yàn)榭煽啃?，可用性，操作性和壽命都得到滿足。參見下圖中的示例。

2.0涉及的人員包括輻射工程師，可靠性工程師，組件工程師和設(shè)計(jì)工程師。

3.0應(yīng)用設(shè)計(jì)指南并降低輻射保證余量。

4.0采購(gòu)適用于應(yīng)用的RHA水平的EEE活性組分。搜索可用符合要求的輻射硬化組件。搜索商業(yè)替代品可能會(huì)被篩選出來(lái)。

5.0從組件級(jí)別的供應(yīng)商處獲取輻射測(cè)試數(shù)據(jù)?？赡苄枰M(jìn)行額外的測(cè)試驗(yàn)證和驗(yàn)證。

6.0對(duì)完成的貼片振蕩器（如有必要）執(zhí)行TID測(cè)試，以收集用于最壞情況分析的數(shù)據(jù)（WCA）。

后TID輻射測(cè)試結(jié)果如下所示，20-FlatPack3.3Vdc空間時(shí)鐘為80.000MHz旨在滿足輻射要求。

核武器環(huán)境

核武器的輻射主要由光子（X射線和γ射線）和中子組成。在小于20ns內(nèi)發(fā)射的即時(shí)輻射產(chǎn)生已知的瞬態(tài)電離脈沖作為劑量率脈沖。Q-Tech測(cè)試程序，用于快速劑量閂鎖和組件和組件的紊亂振蕩器的水平得以實(shí)施。劑量率測(cè)試通常在電子線性上進(jìn)行加速器（LINAC）或閃光X光機(jī)確定鐓粗的閾值劑量率。劑量速率單位是rad/sec。

Q-TECH是GPSIII空間時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商

Q-Tech是GPSIII計(jì)劃所有高可靠性空間混合振蕩器的現(xiàn)有供應(yīng)商應(yīng)驗(yàn)證所有半導(dǎo)體器件和微電路的輻射質(zhì)量一致性維護(hù)以保證所有飛行單位的生存能力。洛克希德馬丁公司的GPSIII核硬度保證計(jì)劃（NHAP）3GPS-PN-07-0014是符合TOR-2006（1590）-4432附錄B，GPSIII零件材料和過(guò)程控制，計(jì)劃要求和TOR-2006（1590）-4430的附錄A，GPSIII技術(shù)電子零件，材料和工藝要求。下圖顯示了用于GPSIII的NPN微波晶體管的Q-TechRLAT測(cè)試計(jì)劃的示例空間時(shí)鐘。

Q-TECH輻射測(cè)試活動(dòng)

Q-Tech在Space中的第一個(gè)設(shè)計(jì)是一個(gè)5.0VdcTTL邏輯，它使用一個(gè)NPN晶體管2N2222ASprague驅(qū)動(dòng)8輸入正NAND門TI。Q-Tech開始評(píng)估有源元件的輻射硬度通過(guò)元件測(cè)試或OSC晶振級(jí)別確保。第一次輻射測(cè)試早在1991年

一直持續(xù)到今天。

Q-Tech通過(guò)直接測(cè)試或與我們的供應(yīng)商合作，積累了輻射庫(kù)顧客。今天我們有超過(guò)數(shù)百個(gè)測(cè)試結(jié)果。

1998年各種Q-TECH振蕩器的TID（HDR）測(cè)試結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)空間時(shí)鐘的典型測(cè)試TID（HDR）

用于劑量率UPS的閃光X射線測(cè)試和空間時(shí)鐘上的鎖定

在TAMU和美國(guó)伯克利以及比利時(shí)的兩個(gè)回旋加速器設(shè)施進(jìn)行單事件測(cè)試。該測(cè)試使用15MeVSEE光束至40MeV光束范圍（低LET）。

圖顯示了QT88上的測(cè)試截面的橫截面

QT88系列振蕩器中SEE的威布爾參數(shù)和速率計(jì)算

圖1顯示了MRFC901MOTOROLANPN晶體管的三角形應(yīng)用一類S電壓調(diào)節(jié)器HS-117RH的LDR線路調(diào)節(jié)的例子進(jìn)入最壞情況分析

供應(yīng)商數(shù)據(jù)表顯示空間調(diào)節(jié)器HS117-RH的最低情況下的電壓調(diào)節(jié)劑量率TID測(cè)試為±0.2％/V.

Q-Tech將最壞情況的輻射測(cè)試用于空間設(shè)計(jì)的模擬。輻射下最差情況下的半導(dǎo)體和微電路參數(shù)（hFE，頻率delta，Line調(diào)節(jié)電壓，電壓偏移等用于計(jì)算最壞情況分析。

B+振蕩器的Q-TECH輻射測(cè)試

Q-Tech有一個(gè)強(qiáng)大的輻射計(jì)劃，了解空間應(yīng)用的環(huán)境，設(shè)計(jì)和建造空間級(jí)混合時(shí)鐘振蕩器以滿足或超過(guò)要求。輻射硬度測(cè)試為自然空間輻射環(huán)境提供了緊密的模擬。該輻射測(cè)試在MIL-PRF-55310C組測(cè)試的第2組中是可選的，并且只能在以下情況下執(zhí)行客戶要求。

Q-Tech于2009年成功推出了B+航天低軌道應(yīng)用.Q-Tech上線并采用2.0μmCMOSFACT技術(shù)和1.3μmBiCMOS至MIL-PRF-38534，K級(jí)輻射批次驗(yàn)收測(cè)試（RLAT）涵蓋高劑量率的總電離劑量（TID）測(cè)試（HDR）和低劑量率（LDR），以及單事件效應(yīng)（SEL，SEU）。B+產(chǎn)品線涵蓋CMOS+2.5Vdc，+3.3Vdc和+5Vdc，低至15kHz至220MHz的晶振頻率，以及40MHz至40MHz的LVDS 350MHz+2.5Vdc和+3.3Vdc。在每個(gè)晶圓批次上進(jìn)行輻射測(cè)試，可追溯到晶圓數(shù)量。

47年以來(lái)，美國(guó)Q-Tech晶振公司開發(fā)的有源晶振型號(hào)有非常多款，主要有OSC晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，VCXO壓控晶振，OCXO恒溫晶振等系列，另外還有量產(chǎn)SAW聲表面濾波器，主要是應(yīng)用到航天工程，因此規(guī)格和品質(zhì)非常高。同時(shí)也可以用于其他高端產(chǎn)品，可發(fā)揮出優(yōu)良的低相位抖動(dòng)，低相噪，低功耗，低電壓，低損耗，低電平等特性。