透過圖文發(fā)現(xiàn)貼片晶振激光減薄工藝及刻蝕圖形的優(yōu)缺點(diǎn)
現(xiàn)如今激光刻蝕頻率微調(diào)是海內(nèi)外各大晶振廠家經(jīng)常用在貼片晶振生產(chǎn)過程的新型加工技術(shù),是科學(xué)家們長期艱苦鉆研的結(jié)果,可以讓廠家們快速大量的批量制造晶振。算是一種比較快捷的途徑,所以在享受這種加工技術(shù)的同時(shí),也會(huì)產(chǎn)生弊端。接下來讓金洛鑫電子用論文以及示意圖,為大家分析分析,激光減薄工藝的優(yōu)勢以及劣勢。
激光減薄工藝的優(yōu)點(diǎn)在于,只減薄表面銀層,并不傷及晶片本身;同時(shí)由于不改變電極有效面積,因而對(duì)石英晶振晶片本身電性能參數(shù)影響不大;刻蝕圖形選擇較靈活;刻蝕外形美觀,肉眼幾乎看不出痕跡。
而其缺點(diǎn)在于可調(diào)的頻率微調(diào)量小,真空中最大只能調(diào)節(jié)到500ppm左右,而大氣中最大只能調(diào)節(jié)到100ppm左右。而在需要較大頻率微調(diào)量的情況下,加在激光強(qiáng)度,很容易就會(huì)把中央膜層擊穿,完全打光,而這樣就會(huì)對(duì)石英晶體晶片的電性能參數(shù)及頻率曲線造成嚴(yán)重?fù)p害,并且刻蝕表面不美觀。
激光刻蝕圖形:
所謂激光刻蝕圖形,是指以一定的圖形在石英晶體諧振器晶片表面膜層上進(jìn)行掃描,并把被掃描處的膜層全部刻光,剝落出石英晶片。其示意圖如下圖所示。
激光刻蝕工藝的刻蝕圖形:
實(shí)驗(yàn)中用到的刻蝕圖形如下圖所示。為圓環(huán)形刻蝕,環(huán)與環(huán)之間線寬為激光刻蝕最小線寬0.02m。
同激光減薄一樣,激光刻蝕工藝的圖形也十分靈活,可根據(jù)需要進(jìn)行繪制。
激光刻蝕圖形工藝的優(yōu)、缺點(diǎn):
用激光刻蝕圖形,把SMD晶振晶片表面電極層部分完全剝落的方法,其優(yōu)點(diǎn)首先在于頻率微調(diào)量大,大氣中即可達(dá)到2000pm以上的頻率微調(diào)量。
其次,刻蝕圖形的方法,可以對(duì)無源晶振晶片一面進(jìn)行加工,而實(shí)現(xiàn)兩面同時(shí)同剝落其次,刻蝕圖形的方法,可以對(duì)晶片一面進(jìn)行加工,而實(shí)現(xiàn)兩面同時(shí)同剝落。
第三,由于在生產(chǎn)過程中,晶片表面的電極層是靠掩膜鍍敷到晶振晶片表面上的,在掩膜的過程中,邊緣處會(huì)產(chǎn)生散射,使得沉積在晶片上的銀層邊界線不夠清晰有部分散射銀殘留的現(xiàn)象,同時(shí)也會(huì)影響晶片的Q值。用激光刻蝕圖形的方法,對(duì)晶片邊緣進(jìn)行加工,便可以清除邊界殘留銀層,使得晶片表面銀層清晰于凈,時(shí)提高晶片的Q值。
利用激光刻蝕圖形工藝進(jìn)行貼片石英晶振頻率微調(diào),對(duì)于準(zhǔn)備性有較高的要求,否則就較易刻蝕到晶片本身,因而對(duì)于刻蝕圖形形狀,填充間距等要求較高。總的來說,這種工藝比較適用于對(duì)調(diào)節(jié)量要求較大,大規(guī)??焖偕a(chǎn)的情況,比激光減薄工藝更利于產(chǎn)業(yè)化。
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