ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡(jiǎn)單，成為石英晶體諧振器和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場(chǎng),在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)和全球化，ILSI通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和收購(gòu)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶群。
    1995年，ILSI北京中國(guó)辦事處開(kāi)業(yè)。1998年，ILSI晶振美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開(kāi)業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開(kāi)業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo)，這些實(shí)體由直接員工提供，以支持我們?cè)诒泵溃鞲?，亞洲和歐洲快速增長(zhǎng)的客戶群。大面積貼片諧振器,進(jìn)口7050石英晶體,ILCX04晶振

      ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無(wú)源貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
     石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。大面積貼片諧振器,進(jìn)口7050石英晶體,ILCX04晶振

    我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。 如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然?？梢圆捎貌煌?fù)載電容（CL）的晶振試用。 試用石英貼片晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ鳎_的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無(wú)源貼片晶振

    負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致普通款石英7050晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無(wú)源貼片晶振

    測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量進(jìn)口7050mm晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

    諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在進(jìn)口無(wú)源SMD晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
     適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)7050體積SMD諧振器測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。大面積貼片諧振器,進(jìn)口7050石英晶體,ILCX04晶振

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