智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN
貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型。薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫。耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。
DSB211SDN晶振為2016進(jìn)口貼片,是日本大真空晶振生產(chǎn)一款小體積的溫補(bǔ)晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz,支持低電壓,低相位噪音,單體結(jié)構(gòu),多用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無(wú)線通信設(shè)備等,也叫智能手機(jī)晶振,TCXO晶振,石英晶體振蕩器,日本進(jìn)口晶振。
智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN
| 類型 | DSB211SDN (TCXO) |
| 頻率范圍 | 12.288?52MHz |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
| 電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
| 電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
| 電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
| 輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
| 輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
| 頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
|
| 啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms |
| 包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 (Φ180) |
智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN
智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。






Jauch晶振,SMD晶振,JTX210晶振
瑞康晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,CFPT9050晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX211SH晶振,石英晶振
愛普生晶振,貼片晶振,FA2016AS晶振,進(jìn)口無(wú)源晶體,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3
WI2WI晶振,TV03晶振,TV03-20000X-WND3RX晶振
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振
TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-83T,高利奇振蕩器,GTXO-83T/GS-12.288MHz,5032貼片晶振
32.768K振蕩器,進(jìn)口CMOS晶振,SM22K有源晶振,Pletronics晶振,SM2220KC-32.768K晶體