臺灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求,透過自主核心技術(shù),成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor),產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。TXC晶振,貼片晶振,7A晶振
公司以誠信正直的作為,對待員工及上下游廠商。并本此邏輯,以高度的職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn),架構(gòu)臺灣晶技企業(yè)文化的第一要項。這也是「行為準(zhǔn)則」里面最首先揭露的要務(wù)。公司隨市場成長而越發(fā)國際化,因而不同語言、文化、國籍等之客戶群以及員工都將因此而日漸加入臺灣晶技,同仁需相互尊重彼此的差異,以邁向國際化公司。
TXC晶振,貼片晶振,7A晶振.5032mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
TXC貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
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TXC晶振 |
單位 |
7A晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8.000MHz~54.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~200μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30×10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-10°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6pF~20pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~ +70°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。TXC晶振,貼片晶振,7A晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用壓電石英晶體諧振器。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致進(jìn)口貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致無源晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明5032晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。TXC晶振,貼片晶振,7A晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加無源二腳貼片晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果5032無源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考




瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振
Vectron晶振,SMD晶體,VXM1晶振
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