KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,KDS品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能.
溫補晶振,有源晶振,DSB535SC晶振,是日本大真空株式會社TCXO系列產(chǎn)品中體積最大的一款,尺寸是5.0*3.2*1.35mm,晶振頻率從10M~30M之間可供選擇,最大的電源電壓不超過3.3V,真正的節(jié)流省電實現(xiàn)低相噪,低電壓,低功耗等優(yōu)良電氣特性.
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溫補晶振 |
標(biāo)示 |
DSB535SC晶振 |
晶振基本信息對照表 |
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標(biāo)準范圍 |
f0 |
10.000MHz~30.000MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+2.6V,+2.8V,+3.0V,+3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標(biāo)準頻率偏差 |
f_tol |
±1.5ppm |
初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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標(biāo)準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |

噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考


XO75LVD1-312M500-B25B3,Fortiming晶振,6G低功耗差分振蕩器
Fortiming晶振,XO53-32K768-B30B3,5032貼片振蕩器,6G通信設(shè)備晶振
XO14-100M000-B50E3,富通晶振,長方形鐘振,6G微處理器晶振
富通晶振,TC22-19M200-BV025J,VCTCXO晶振,6G無線通信晶振
Fortiming晶振,TC53A-12M800-AV020B,TCXO晶振,6G基站晶振
TC75-16M800-BV020B,Fortiming晶振,7050mm晶振,6G路由器晶振
TCLS-19M440-CV025,富通晶振,VC-TCXO晶振,6G無線模塊晶振
Fortiming晶振,TCTS-24M576-BVI025B,TCXO晶振,6G低相噪晶振
壓控溫補晶振,TCD4振蕩器,削峰正弦波晶振,5032振蕩器,Pletronics晶振,TCD4027-26.0M