憑借先進的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓練有素的服務(wù)團隊,多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時時為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價值.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
對我們的有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振, 晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）、溫補晶振、壓控晶體振蕩器（VCXO）進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.

ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振.產(chǎn)品本身具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
日蝕石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴格規(guī)范線切割機各項設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用時鐘晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導致32.768K晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩美國進口晶振頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明32.768K貼片晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加3215mm晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致32.768K進口晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

頻率和負載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考