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Golledge晶振 |
單位 |
GSX-309晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4~30MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推薦:0.1~0.5μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30,±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30,±50× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
16,18,20,30pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |





村田晶振,TDS-2520F晶振,XRCHJ16M000F1QB1P0晶振
村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
瑞康晶振,貼片晶振,RSX10晶振,石英晶振