Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

產(chǎn)品詳情

Golledge高利奇晶振集團(tuán)保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.
自從我們?cè)?990年成立以來，golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長(zhǎng)，我們現(xiàn)在是英國(guó)最主要的石英晶體頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商。這種增長(zhǎng)是通過保持我們的專注于我們的客戶的要求，并通過努力始終滿足和超越他們實(shí)現(xiàn)的。golledge商業(yè)團(tuán)隊(duì)是該行業(yè)最有經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)之一。我們的知識(shí)淵博的工程師和銷售團(tuán)隊(duì)致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設(shè)計(jì)到全面生產(chǎn)。電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展，golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。

3.2*1.5mm千赫茲晶體,32.768K陶瓷面諧振器,GRX-315晶振

Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A 晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù)：通過對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使進(jìn)口晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；

3.2*1.5mm千赫茲晶體,32.768K陶瓷面諧振器,GRX-315晶振

Golledge晶振	單位	GSX-8A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12~67MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-30°C～+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C～+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±100 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	﹣0.034~±0.006 × 10-6/-20°C～+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

gsx-8A

3.2*1.5mm千赫茲晶體,32.768K陶瓷面諧振器,GRX-315晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊:抗沖擊是指無(wú)源陶瓷晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A 晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些貼片石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接進(jìn)口封裝晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在5032陶瓷二腳晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于壓電石英晶體的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加陶瓷面貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過陶瓷面5032貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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