Raltron產品具有精確的頻率容穩(wěn)定性好,頻率范圍寬,封裝更小,相位噪聲低,抖動小等優(yōu)點,最重要的是,他們以非常有競爭力的成本滿足或超越客戶的規(guī)格。公司對研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領先邊緣晶體和石英晶體振蕩器器件和技術多年。今天,拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價格,質量,應用工程和客戶支持。
RALTRON晶振集團建立一種可測量的發(fā)展和改進的目標指標,定期進行內審和管理評審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進環(huán)境績效。通過對石英晶振生產活動的持續(xù)改進和促進對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進行合理化轉變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力。重視污染預防,消除偏離程序的行為強調通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進我們經(jīng)營活動的環(huán)境績效。
Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
拉隆厚度單位: ?全自動貼片石英晶振晶片清洗技術:采用高壓噴淋清洗,兆聲振動的原理,一個全自動、清洗過程由PLC控制,由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等, 操作自動化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由設備自動完成。根據(jù)需要,對速度,溫度,時間等參數(shù)進行調整,使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物,并防止人工污染。
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Raltron晶振 |
單位 |
H13晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
6.000MHZ~100.000MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-30°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
12pF~32pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致SMD晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明石英貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果7050耐高溫石英晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Raltron晶振,石英貼片晶振,H13晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考




Fortiming品牌,XCS75-48M000-1C30B18,6G移動無線電晶振
Fortiming晶振,XCB75-4M000-1B50B18,4MHz,6G低頻晶振
XO75-125M000-B25G3,Fortiming晶振,7050mm,6G低抖動晶振
XOP75-32M000-B25B3,富通陶瓷振蕩器,6G路由器晶振
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振
TC75-16M800-BV020B,Fortiming晶振,7050mm晶振,6G路由器晶振
富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振