PE5520JEW-125.0MDK晶振,進(jìn)口美國(guó)晶振,PECL輸出有源晶振,PE55J振蕩器,Pletronics晶體
PE5520JEW - 125.0MDK有源晶振憑借其125.0MHz的穩(wěn)定頻率和出色的PECL輸出性能,在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的適用性。在通信領(lǐng)域,它為5G基站、光通信設(shè)備等提供精確的時(shí)鐘同步信號(hào),確保數(shù)據(jù)在高速傳輸過(guò)程中的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性,助力構(gòu)建高效可靠的通信網(wǎng)絡(luò)。
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該Pletronics進(jìn)口晶振為高速運(yùn)轉(zhuǎn)的工業(yè)機(jī)器人、精密測(cè)量?jī)x器等提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的精準(zhǔn)協(xié)同工作,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。在測(cè)試測(cè)量設(shè)備中,其高精度的時(shí)鐘輸出能夠滿足對(duì)時(shí)間和頻率測(cè)量的嚴(yán)格要求,提升測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。無(wú)論是前沿的通信技術(shù)、復(fù)雜的工業(yè)生產(chǎn),還是精密的測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域,PE5520JEW - 125.0MDK晶振都能憑借其精準(zhǔn)的頻率和穩(wěn)定的性能,成為各領(lǐng)域電子設(shè)備的可靠伙伴。
通過(guò)不斷優(yōu)化內(nèi)部電路和晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了相位噪聲,提高了頻率精度。與市場(chǎng)上同類石英晶體振蕩器相比,PE5520JEW - 125.0MDK具有更高的性價(jià)比和更好的適應(yīng)性。Pletronics持續(xù)投入研發(fā)資源,對(duì)晶振的性能進(jìn)行優(yōu)化,使其憑借創(chuàng)新設(shè)計(jì)和卓越性能,引領(lǐng)著PECL輸出有源晶振的發(fā)展潮流,為電子設(shè)備制造商提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的時(shí)鐘解決方案。
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| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | |
| Frequency Range2 | 25 | - | 320 | MHz | |
|
Frequency Stability2
± 20 =20*, ± 25 =44, ± 50 =45
|
±20 | - | ±50 | ppm | |
| Operating Temperature Range2 |
-10 -20 -40 |
- |
+70 +70 +85 |
°C | |
| Supply Voltage1, 2VCC | 2.375 | 2.50 | 2.625 | V | |
| Supply Current ICC(Pin 1 open) | - | - |
60 70 |
mA | |
| Output Waveform | PECL輸出晶振 | ||||
| Output High Level VOH |
1.475 1.415 |
1.55 1.55 |
1.62 1.64 |
V | |
| Output Low Level VOL | 0.69 | 0.80 | 0.88 | V | |
| Output TRISEand TFALL | - | - | 0.5 | ns | |
| Start Up Time | - | - | 10 | ms | |
| Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | |
| VDISABLE | - | - | 0.3Vcc | V | |
| VENABLE | 0.7Vcc | - | - | ||
| Enable Time | - | - | 2 | ms | |
| Disable Time | - | - | 200 | ns | |
| Enable/Disable Internal Pull-up | 30 | 70 | 150 | KΩ | |
|
Output Leakage VOUT= VCC VOUT= 0V |
- -10 |
- |
+10 - |
µA | |
| Standby Current | - | - | 15 | µA | |
| Jitter | - |
0.1 0.03 |
- | ps | |
| - | 0.8 | - | |||
|
Phase Noise 10 Hz
100 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
|
- |
-64 -98 -127 -142 -152 |
- | dBc/Hz | |
| Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C | |
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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶體產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。





微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1AH晶振,進(jìn)口SMD晶振
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