產(chǎn)品應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等，扮演基本信號源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術研究開發(fā)及品質落實扎根，營運據(jù)點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務予世界電子大廠。 希華晶振科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品，透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務。
2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證，秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則，公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低，可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高，各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符，于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證。希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念，執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著，不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求，同時也能達到石英晶振國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準。

希華晶振,貼片晶振,SX-7050晶振,石英晶體諧振器,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標頻率: 標稱頻率±1000 PPM。（蒸鍍微調、離子微調）3.3.1、Space：被銀時放置石英晶振晶片的治具。根據(jù)貼片晶振晶片的直徑（長度、寬度）、厚度選用合適尺寸的Space，尺寸過大容易造成被銀電極偏位，尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK：被銀電極。一般情況下，石英晶振頻率低選用大尺寸 MASK，貼片晶振頻率高選用小尺寸 MASK，對同一規(guī)格產(chǎn)品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對有特殊要求（如 C0、C1、C0/C1、TS 等）的產(chǎn)品，在計算和試驗的基礎上選用合適的 MASK。對高頻產(chǎn)品（尤其是高頻 Fund）Mask 大，產(chǎn)品容易產(chǎn)生寄生。石英晶振離子刻蝕調頻技術：比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調后調整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內.

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。希華晶振,貼片晶振,SX-7050晶振,石英晶體諧振器
臺產(chǎn)晶振產(chǎn)品類型:插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件,晶振焊接條件:手工焊接+300°C或低于3秒鐘 請勿加熱封裝材料超過+150°C,晶振產(chǎn)品類型:SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°,晶振焊接條件:+260°C或低于@最大值 10 s請勿加熱封裝材料超過+150°C,
每個封裝類型的注意事項,陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝進口石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。

振蕩補償:除非在7050mm晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。希華晶振,貼片晶振,SX-7050晶振,石英晶體諧振器

測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行MHZ級晶體諧振器測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過7050貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。