Vectron國(guó)際公司既是一個(gè)產(chǎn)品制造商,也是一個(gè)解決方案提供商,以其獨(dú)特的技術(shù)領(lǐng)先,但總是準(zhǔn)備設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)定制解決方案,由高頻基礎(chǔ)和SC切割石英晶體的先進(jìn)制造所突出的離散晶體技術(shù)…100級(jí)和10000級(jí)潔凈室設(shè)施生產(chǎn)前沿陶瓷包裝VCXO抯,時(shí)機(jī)復(fù)蘇和時(shí)鐘恢復(fù)單位,看到基于過濾器…為國(guó)家的藝術(shù)測(cè)試能力,包括一個(gè)專用的空間組件制造設(shè)施。
Vectron國(guó)際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營(yíng)銷的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和SAW濾波器的最新技術(shù)。Vectron將繼續(xù)成為全球市場(chǎng)的世界級(jí)供應(yīng)商,并將在符合市場(chǎng)需求的情況下應(yīng)用創(chuàng)新的、前瞻性的道德原則。我們完全致力于認(rèn)識(shí)客戶的需求,并以卓越的品質(zhì)、服務(wù)、響應(yīng)能力和規(guī)范要求來回應(yīng)這些需求。
Vectron晶振,貼片晶振,VXC1晶振.7050mm體積的表面貼片型石英晶體諧振器,是一款小型化,重量輕的貼片晶振,產(chǎn)品本身具有耐高溫及耐低溫特性,即使在零下負(fù)20度至正75度也能正常工作,滿足245度無鉛高溫回流焊接,頂點(diǎn)溫度可達(dá)260度,因此在電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)比較受歡迎.
維管晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英貼片晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。
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VECTRON晶振 |
單位 |
VXC1晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~100.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
10-100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6pF~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸5*7貼片晶體的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。Vectron晶振,貼片晶振,VXC1晶振
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致美國(guó)進(jìn)口晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致7050耐高溫石英晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)Vectron晶振,貼片晶振,VXC1晶振
3.測(cè)試電路




Fortiming品牌,XCS75-48M000-1C30B18,6G移動(dòng)無線電晶振
Fortiming晶振,XCB75-4M000-1B50B18,4MHz,6G低頻晶振
XO75-125M000-B25G3,Fortiming晶振,7050mm,6G低抖動(dòng)晶振
XOP75-32M000-B25B3,富通陶瓷振蕩器,6G路由器晶振
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振
TC75-16M800-BV020B,Fortiming晶振,7050mm晶振,6G路由器晶振
富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振