IDT以其智能傳感器和行業(yè)領(lǐng)先的時間組合來處理汽車應用。IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營其卓越的汽車中心。IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎(chǔ)設(shè)施應用而設(shè)計的高性能的領(lǐng)先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進的時機。
IDT積極提高產(chǎn)品和包裝,以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而,由于產(chǎn)品性能往往受到其實現(xiàn)的影響,因此建議仔細考慮影響設(shè)備運行溫度的因素,以達到最好的效果。IDT的集成電路用于世界各地的通信、計算和消費行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設(shè)有設(shè)計、運營和銷售設(shè)施。
IDT晶振,壓控振蕩器,8N0QV01晶振.貼片式vcxo石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
與其它電子元件相似,石英晶體振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝。通常,較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴。所以,小型封裝的石英晶振往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。
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IDT晶振 |
標示 |
型號+晶振 |
晶振基本信息對照表 |
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標準范圍 |
f0 |
1.0MHz~50.MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標準頻率偏差 |
f_tol |
±25、±50、±100×10-6 max.
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初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。
有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
此外,振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出
圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。


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