自從歐盟頒布各項綠色環(huán)保指令（如RoHS）后,世界各國已陸續(xù)制定公布相關(guān)之法令規(guī)章,推動「綠色產(chǎn)品」的發(fā)展.泰藝電子為了對環(huán)境與人類貢獻一己之力,導(dǎo)入綠色設(shè)計之概念,致力生產(chǎn)符合國際綠色環(huán)保指令與客戶特殊要求有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振.我們知道,人類的永續(xù)發(fā)展需要干凈的環(huán)境,如果我們產(chǎn)品中的物質(zhì)會對環(huán)境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產(chǎn)品的功能再先進再齊全,也無法對環(huán)境與社會帶來多大的幫助.為追求生產(chǎn)綠色產(chǎn)品之目標,將環(huán)保理念納入采購流程中,采購人員于收集市場資訊時,優(yōu)先提供符合「泰藝電子無有害物質(zhì)管理作業(yè)標準」之材料相關(guān)資訊予產(chǎn)品設(shè)計人員參考,并依其要求提供符合規(guī)范之樣品與規(guī)格.原材物料承認時,采購人員須請供應(yīng)商填寫公司提供之問卷表單及相關(guān)RoHS檢測報告,經(jīng)原材物料相關(guān)審驗單位審查通過后,方可使用.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XN晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
9pF、12.5PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器
無源晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項陶瓷晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量32.768K石英晶體緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致音叉晶振32.768K振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
32.768K晶振測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了32.768KHZ晶振來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
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