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NEL晶振,NMP3晶振,NMP3-32.768-X-10-AA-12.5pF晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.0*3.8mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

NEL晶振,NMP3晶振,NMP3-32.768-X-10-AA-12.5pF晶振，NEL頻率控制公司在美國(guó)和菲律賓擁有最先進(jìn)的制造基地，其制造模式通過(guò)其多樣化的石英晶振產(chǎn)品組合提供了在全球競(jìng)爭(zhēng)所需的靈活性。復(fù)雜度更高的頻率控制解決方案在NEL的美國(guó)工廠制造，而更高產(chǎn)量、成本更低、復(fù)雜度較低的頻率控制解決方案則在NEL的菲律賓工廠制造。兩個(gè)制造地點(diǎn)都在相同的TQM政策下運(yùn)營(yíng)，具有共同的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、流程和測(cè)試，以確保完整的產(chǎn)品完整性。NEL是一家通過(guò)ISO 9001-2008認(rèn)證的公司，并因其產(chǎn)品的高可靠性而享有盛譽(yù)。

NEL晶振,NMP3晶振,NMP3-32.768-X-10-AA-12.5pF晶振，NEL頻率控制可以根據(jù)客戶目標(biāo)和要求優(yōu)化晶體振蕩器相位噪聲性能。尋求利用其應(yīng)用的相位噪聲性能獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的客戶通常會(huì)選擇NEL晶振公司來(lái)幫助獲得-5dBc/Hz至-10dBc/Hz的性能優(yōu)勢(shì)。尋求以低成本方式升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)和平臺(tái)的客戶求助于 NEL，以在插入式兼容封裝內(nèi)靈活選擇不同級(jí)別的相位噪聲性能。

NEL晶振,NMP3晶振,NMP3-32.768-X-10-AA-12.5pF晶振，貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Electrical Specifications
Frequency Range	32.768 kHz
Frequency Tolerance (at 25°C)	±20 ppm, ±50 ppm, or specify
Temperature Coefficient (Freq)	-0.04 X 10-6 /°C 2 Max
Load Capacitance (C L )	12.5 pF (Std) or specify
Temp. Range Storage Temp	-30°C to 85°C
Operating Temp	-20°C to 70°C or specify
Drive Level Maximum	1000 µW
Recommended	10 µW to 100 µW (specify)
Series Resistance	50 k Ω Max
Motional Capacitance	1.8 fF Max
Shunt Capacitance	0.8 pf Max
Insulation Resistance	500 MΩ Min
Aging @ 25°C	±3 ppm/Year (Typ)/ ±5 ppm/Year (Max)
Soldering Condition	Twice at under 260°C within 10 sec./under 230°C with 3 minutes
Shock Resistance	±10 ppm Max

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射，NEL晶振,NMP3晶振,NMP3-32.768-X-10-AA-12.5pF晶振.
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。