CTS晶振,DIP插件晶振,ATS晶振
頻率:3.200MHz~64.000MHz
尺寸:10.85*4.5mm
消費(fèi)電子制造業(yè)的發(fā)展促使許多美國(guó)的電子制造商在亞洲開展業(yè)務(wù)。1968,CTS在臺(tái)灣建立了一個(gè)生產(chǎn)工廠,為北美原始設(shè)備制造商提供離岸生產(chǎn)設(shè)備,并與亞洲低成本零部件生產(chǎn)商進(jìn)行合作。在1980年初的CTS獲得了成功的連接器和背板制造商在北美洲和蘇格蘭的業(yè)務(wù)。此外,蘇格蘭的連接為CTS的石英晶體振蕩器產(chǎn)品打開了許多新的歐洲市場(chǎng)機(jī)會(huì),并繼續(xù)提供創(chuàng)新的解決方案,利用金屬陶瓷技術(shù)為國(guó)內(nèi)汽車制造商提供可靠的引擎蓋位置傳感器。ATS200C-E晶振,20M插件晶振,ATS晶振
CTS晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善。CTS晶振遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī),以及CTS晶振集團(tuán)自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾。將貼片晶振生產(chǎn)活動(dòng)中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來,確?;顒?dòng)中每一分子的運(yùn)作和發(fā)展都體現(xiàn)對(duì)污染預(yù)防方針的貫徹。
CTS晶振,DIP插件晶振,ATS晶振.10.85*4.5mm插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.
CTS石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
|
CTS晶振 |
單位 |
ATS晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.200MHz~64.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+85C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
100/1000μW Max. |
推薦:10μW ~200μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~30PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)無源晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。ATS200C-E晶振,20M插件晶振,ATS晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些有源晶振沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)?b>濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。CTS晶振,DIP插件晶振,ATS晶振
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的引腳型石英晶振的振蕩頻率的真實(shí)值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。CTS晶振,DIP插件晶振,ATS晶振
有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法49S型插件晶振輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。ATS200C-E晶振,20M插件晶振,ATS晶振
此外,橢圓形插件晶振振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
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