KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:8.0*3.8mm
日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請?jiān)谥袊旖蛲顿Y.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動子,剛投資建廠時主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.
KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振,32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
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KDS晶振 |
單位 |
DMX-26晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |


抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振
1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担?/span>RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
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JLX-PD
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