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鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

頻率：16.000MHz~62.500MHz

尺寸：2.0*1.6*0.5mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

HX-2

杭州鴻星電子有限公司于1979年成立，產(chǎn)品由專業(yè)電阻器、電容器制造廠，公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地，至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營銷代表處。鴻星的核心精神：誠信負(fù)責(zé)、團(tuán)隊(duì)合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長。HOSONIC以先進(jìn)技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù)，成為晶體產(chǎn)業(yè)最具競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)的品牌。2016小封裝晶體,26M無源諧振器,E1SB晶振
優(yōu)秀同仁是公司無價(jià)的資產(chǎn)，也是公司成長發(fā)展的伙伴，更是維系公司競(jìng)爭力與創(chuàng)造價(jià)值的命脈。在以人為本，充分尊重人性的理念上，我們以溝通來達(dá)成共識(shí)，以相互尊重維系組織和諧氣氛，創(chuàng)造適性的工作環(huán)境，讓鴻星成為一個(gè)高度凝聚力的大家庭。我們要求同仁自我管理，并不斷的成長進(jìn)步，讓員工有能力于工作，意愿于工作并滿意于工作，鼓勵(lì)員工去達(dá)成公司指定的目標(biāo)。

JLX-1

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封裝四腳SMD型的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶體諧振器晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。

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RB-2

鴻星晶振	單位	E1SB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHZ~62.200MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	50μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10^-6 ~±30 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-30°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~16pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

E1SB(Former HCX-1AB) 2016

JLX-4

RB-4

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。2016小封裝晶體,26M無源諧振器,E1SB晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致SMD晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明2016晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。2016小封裝晶體,26M無源諧振器,E1SB晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在25M無源SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致四腳無源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

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