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ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：8.7*3.7*2.5mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購熱線：0755-27837162

ECLIPTEK-1

Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者.日蝕晶振公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)使我們能夠為客戶提供最好的石英晶體,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振,貼片振蕩器產(chǎn)品.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.日蝕晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.

JLX-1

ECLIPTEK-2

ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振.小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
日蝕石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振

JLX-2

RB-1

日蝕晶振	單位	E1WSDA12-32.768K晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW ~100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-10°C ~ +60°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-0°C~ +70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

E1WSDA12-32.768K 8038

JLX-4

RB-4

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對32.768K無源晶振外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些8038貼片晶振沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振

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RB-5

輸出波形與測試電路
1.時序表

scbx_1

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振