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愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,MA-505 40.0000M-C0:ROHS

頻率：4~64MHZ

尺寸：13.46*5.08mm

貼片晶振本身體積小,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

高端進(jìn)口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開(kāi)拓廣闊前景. 　愛(ài)普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶振元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.
伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛(ài)普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過(guò)上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來(lái)而竭誠(chéng)奉獻(xiàn). 高端進(jìn)口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

高端進(jìn)口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS",智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù)：通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使無(wú)源晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄，貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司 .高端進(jìn)口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

愛(ài)普生晶振	單位	MA-505晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	4.000MHZ~64.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±50× 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	5pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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一般來(lái)說(shuō)，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的SMD晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

20180607084414

線路連接的電阻（R）與陶瓷晶振串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。
如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的石英晶體諧振器。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。高端進(jìn)口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

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振蕩開(kāi)始代替。表面陶瓷面晶振在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力,愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)進(jìn)口貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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