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NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：1.6*1.0*0.45mm

1.6*1.0mm小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標準.

訂購熱線：0755-27837162

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NDK晶振集團作為頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè)，為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品，我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務，以「通過對客戶的服務，為社會繁榮和世界和平作貢獻」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命，今后也會為社會的[安全、安心、舒適]作出貢獻。請各位繼續(xù)給予我們支持！NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
NDK晶振集團將確保其石英晶振產(chǎn)品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?。在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求。

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NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
NDK貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。1.6*1.0mm無源晶體,進口小體積SMD晶振,NX1610SA晶振

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NDK晶振	單位	NX1610SA晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1μW Max.	推薦:0.1μW~0.5μW
頻率公差	f_— l	±20× 10^-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^-6/-40°C ~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	6pF/9PF/12.5PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =0.1μW
頻率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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NX1610SA_1.6_1.0

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＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對進口貼片晶振外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍以上。1.6*1.0mm無源晶體,進口小體積SMD晶振,NX1610SA晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些有源晶振沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
＜光學產(chǎn)品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明1610貼片晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加32.768K貼片晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果數(shù)字水表晶振振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。1.6*1.0mm無源晶體,進口小體積SMD晶振,NX1610SA晶振

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