希華晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營(yíng)管理石英晶振的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè)，環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段，合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理，落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí)，藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān)，并滿足客戶需求，獲得客戶的信賴而努力。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
       希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品，透過(guò)最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。 營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國(guó)大陸、日本、新加坡、美國(guó)及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。 

     希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振, 貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
       3.1、石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測(cè)試,3.2、無(wú)源晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱，在晶振生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。3.3、被銀：用真空鍍膜原理在潔凈的石英晶振晶片上蒸鍍薄銀層，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到一定范圍 。采用蒸鍍微調(diào)： 被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 +(50 至 1000ppm)的要求，采用離子微調(diào)：離子微調(diào)被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 -(50 至 1200ppm)。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振

       所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊 抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振
       4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致小體積晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
        機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 

       此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量.三.通過(guò)1210mm貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出,圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振

      振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在金屬四腳石英晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。接觸振蕩電路。
      探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入金屬面貼片晶振下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

     測(cè)試條件:(1)電源電壓超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF，5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)1.2*1.0壓電諧振器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

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