SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
頻率:3.750MHz~77.760MHz
尺寸:2.0*1.6*0.75mm
SiTime正在為電子產(chǎn)品的小型化提供支持,它提供的時間解決方案是行業(yè)中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及減少元件數(shù)量的獨特功能。我們的溫補晶振通過將同一包中的多個組件的功能組合在一起,從而減少了董事會空間。半導(dǎo)體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中,從而完全消除外部時鐘,簡化系統(tǒng)設(shè)計。通過一個全新的全硅平臺,SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術(shù)突破是通過利用硅技術(shù)的優(yōu)勢,結(jié)合了數(shù)十年的MEMS諧振器經(jīng)驗和內(nèi)部模擬技術(shù)來實現(xiàn)的。
SiTime的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué)。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前,他們花了數(shù)年時間,在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。自2005年成立以來,SiTime公司開發(fā)了幾代先進的kHz和MHz MEMS貼片晶振,它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我們還開發(fā)了一個全面的開發(fā)和仿真平臺,確保了我們所有MEMS諧振器的第一個硅成功。
SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振.包含一個可編程驅(qū)動強度特性,為特定應(yīng)用提供一個簡單而靈活的工具來優(yōu)化時鐘上升/下降時間。可編程驅(qū)動強度功能的好處是:通過減慢時鐘上升/下降時間來改善系統(tǒng)輻射電磁干擾(EMI)•通過降低(加速)時鐘上升/下降時間來改善下游時鐘接收器(RX)抖動•能夠在保持全速擺動的情況下,以較高的邊沿速率驅(qū)動大容量負(fù)載??梢栽谧畲箅娙葚?fù)載下支持高達60 pF或更高的電壓,并可多達3個額外的驅(qū)動強度設(shè)置。
SiTime晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振
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SiTime晶振 |
標(biāo)示 |
SiT1602晶振 |
晶振基本信息對照表 |
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標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
3.750MHz~77.760MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+1.62V~3.63V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=1.8V |
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頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
30pF |
LVCMOS/HCMOS出力 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±20、±25、±50×10-6 max.
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初期偏差、 |
|
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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標(biāo)準(zhǔn)時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個石英晶體振蕩器產(chǎn)品進行試驗所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗。若要進行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認(rèn)。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振
撞擊
雖然進口晶體振蕩器產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響。 在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得有源貼片晶振產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類型產(chǎn)品>
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化。請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管。
1、振蕩電路
貼片型晶體振蕩器是有源元件,因此不會受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。SiTime晶振,2016有源晶體,SiT1602晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計中,必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
2016mm封裝有源晶體振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于小體積有源晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。2016石英晶體振蕩器,進口OSC有源晶振,SiT1602晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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