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CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器
頻率：32.768KHZ
尺寸：3.2*1.5mm
1999，CTS晶振收購(gòu)了摩托羅拉的組件產(chǎn)品部門(mén)（CPD）。更名為CTS的無(wú)線(xiàn)組件，這一收購(gòu)將CTS在新興的手機(jī)和基站市場(chǎng)前沿通過(guò)陶瓷過(guò)濾器的制造，雙工器和其他通信組件。此外，90年代后期與美國(guó)動(dòng)力公司（DCA）的合并，增強(qiáng)了CTS作為電子元件的主要生產(chǎn)商的地位。作為戰(zhàn)略的一部分，CTS銷(xiāo)售EMS業(yè)務(wù)。該交易加劇了CTS對(duì)其零部件和傳感器業(yè)務(wù)的關(guān)注，并提供額外資金以推動(dòng)核心能力的增長(zhǎng)。表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級(jí)晶體,TFE32晶振
CTS晶振集團(tuán)為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全，確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性，通過(guò)正式的管理進(jìn)口晶振事宜評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn)，保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境。CTS晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。通過(guò)對(duì)生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無(wú)效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。
CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級(jí)晶體,TFE32晶振
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CTS晶振 |
單位 |
TFE32晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推薦:0.1~0.5μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6,7,9,12.5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查無(wú)源石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒(méi)有信號(hào)輸出，請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒(méi)有信號(hào)，請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專(zhuān)業(yè)的石英貼片晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì)，是否跟你的線(xiàn)路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話(huà)，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下：表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級(jí)晶體,TFE32晶振
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在3.2x1.5mm晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)32.768K貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加小型SMD晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)二腳貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
電話(huà)：0755-27837162
QQ號(hào)：657116624
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搜狐公眾號(hào)：晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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