村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
頻率:12MHZ
尺寸:3.2*2.5*0.7mm
村田晶振制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營理念,以繼續(xù)成為受社會(huì)信賴的公司為目標(biāo),承諾遵守法律和法規(guī),實(shí)施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護(hù)健康與安全、為社會(huì)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn).2009年度,根據(jù)環(huán)境管理體系中的規(guī)定,村田晶振集團(tuán)在其日本國內(nèi)的所有事業(yè)所和海外的所有生產(chǎn)基地中,建立了村田晶振,石英晶體,陶瓷諧振器,村田振蕩子綠色經(jīng)營活動(dòng)的框架,通過共享與綠色經(jīng)營有關(guān)的信息,致力于開展有效的和實(shí)際效果大的環(huán)?;顒?dòng),并強(qiáng)化企業(yè)的管治能力.3225車載SMD諧振器,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
村田晶振從設(shè)計(jì)階段開始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田晶振由環(huán)保主管董事?lián)握麄€(gè)集團(tuán)的環(huán)?;顒?dòng)的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?;顒?dòng).此外,社長的咨詢機(jī)構(gòu)—環(huán)保委員會(huì),還針對各村田晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振蕩子,村田石英晶振據(jù)點(diǎn)的活動(dòng)情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動(dòng),設(shè)立了“防止全球變暖委員會(huì)”,加快設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動(dòng)的步伐.2010年3月完成了對日本村田晶振在國內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構(gòu)建的國際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了村田晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)保活動(dòng).而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個(gè)管理單位,不斷推動(dòng)著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.
村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
進(jìn)口石英晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。3225車載SMD諧振器,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
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TXC晶振 |
單位 |
TSS-3225J晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
100 |
|
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頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

耐焊性:將無源石英晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):陶瓷包裝進(jìn)口晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英SMD晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。(2)陶瓷封裝貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。3225車載SMD諧振器,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中3225貼片晶振的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量汽車電子晶振頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對3225mm貼片晶振振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
此外,振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過3225石英晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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電話:0755-27837162
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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