愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電SMD晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

      日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件（蘇州）有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊(cè)資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

      EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

      智能手機(jī)愛普生晶體,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050EAN	320.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	125.003700 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	301.386000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	233.372000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0042910127	SG7050EAN	320.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910128	SG7050EAN	125.003700 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910129	SG7050EAN	301.386000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910130	SG7050EAN	233.372000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044510001	SG5032CAN	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510002	SG5032CAN	16.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510003	SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510004	SG5032CAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>日產(chǎn)進(jìn)口晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

      所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

      4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。    

      測(cè)試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過有源晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）,EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

     驅(qū)動(dòng)能力：驅(qū)動(dòng)能力說明無人機(jī)晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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