SMI晶振,212SMX晶振,無(wú)源貼片晶振，貼片表晶32.768K晶振系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
    SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。我們積極為電子社會(huì)做出貢獻(xiàn)，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開(kāi)發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
    我們專(zhuān)注于最新的SMD晶體，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。

        SMI晶振,212SMX晶振,無(wú)源貼片晶振, SMI晶振是日本一家生產(chǎn)制造規(guī)模比較大一家電子元件工廠,長(zhǎng)期采購(gòu)SMI石英晶體的企業(yè)有上千家,日本SMI晶振在國(guó)際市場(chǎng)上的份額占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以來(lái)便專(zhuān)注研發(fā)生產(chǎn)高品質(zhì),高精度的晶振產(chǎn)品,專(zhuān)業(yè)向市場(chǎng)供應(yīng)大量OSC差分晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振,VCXO壓控晶振等元件,憑借著注重質(zhì)量與服務(wù),贏得廣大用戶(hù)的喜愛(ài),SMI晶振如今在業(yè)界已是小有名氣的企業(yè).
          貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

抗沖擊
          貼片石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
          暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
          請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解日本進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
          請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
          請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
         過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

          驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)石英晶體振蕩器單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

          測(cè)試條件:(1) 電源電壓;超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他: 輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他: CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn).)

          SMI晶振,212SMX晶振,無(wú)源貼片晶振,振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
          接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，晶體測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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