Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度，確保了所有變量的持續(xù)振蕩，包括偏差，負(fù)載，溫度和時(shí)間變化。 Gm_critical是晶振必須實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值，以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配，并可能導(dǎo)致與啟動(dòng)相關(guān)的長(zhǎng)期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical，部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計(jì)最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測(cè)試可降低風(fēng)險(xiǎn)并提高系統(tǒng)的可靠性。
由于大多數(shù)Pierce振蕩器的跨導(dǎo)（gm）繼續(xù)向前所未有的低水平下降，所以ABRACON石英晶體不僅被迫尺寸較小，而且還提供非常低的電鍍負(fù)載（CL）和低等效串聯(lián)電阻（ESR）參數(shù)選項(xiàng)。滿足節(jié)能MCU和RF芯片組要求的最低gm_critical要求取決于保持低CL，ESR和C0參數(shù)的保證。這需要在晶體上采用新的非平凡電鍍?cè)O(shè)計(jì)，同時(shí)降低CL和ESR，并且仍然可以保證低溫度和老化效應(yīng)的規(guī)格。ABRACON新的石英晶體電鍍?cè)O(shè)計(jì)使得下一代Pierce振蕩器能夠在能夠保持振蕩的情況下運(yùn)行在煙霧上。電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢(shì)，直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來越小，功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設(shè)計(jì)要求，取決于行業(yè)需求，已經(jīng)成為至關(guān)重要的。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.
通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。

Abracon晶振	單位	ABM10W晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10~100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10× 10-6/-20°C～+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	4pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

ABM10W 2520

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

這些晶振知識(shí)介紹是指，陶瓷面晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒反應(yīng)的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作，請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問題。請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開始尋找相關(guān)問題。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒有信號(hào)輸出，請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒有信號(hào)，請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

你可以先把晶體卸載下來并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專業(yè)的石英進(jìn)口晶體測(cè)試儀器來檢測(cè) 。如果你沒法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì)，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下：

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高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過2520四腳貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520無(wú)源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過移動(dòng)設(shè)備晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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