2003年希華晶振集團(tuán)通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保工作場所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是希華晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗(yàn)證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境。
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶振、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù)。 希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。
希華晶振,貼片晶振,CSX-2520晶振,臺產(chǎn)晶體諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使無源晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
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希華晶振 |
單位 |
CSX-2520晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHz~40.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-80°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50~ ±50× 10-6/-10°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8,10,12,16PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

石英貼片晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請?jiān)谑⒕д褚?guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。希華晶振,貼片晶振,CSX-2520晶振,臺產(chǎn)晶體諧振器
進(jìn)口晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請?jiān)谑褂弥?,懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請確保晶振能正常工作。
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,2520貼片晶振使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。希華晶振,貼片晶振,CSX-2520晶振,臺產(chǎn)晶體諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵?a title="4腳2520石英晶體" target="_blank">4腳2520石英晶體IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
此外,振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過2520進(jìn)口貼片晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:2520mm晶振驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。



百利通亞陶晶振,貼片晶振,FH1200001晶振
村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振
ECLIPTEK晶振,EA2025晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無源進(jìn)口晶振
光纖通道晶振,LV3345JEV-125.0MDK,LVDS差分晶振,2520有源晶振,Pletronics振蕩器
XR25H1I026.000080Q,汽車電子晶振,XRQ無源晶振,2520諧振器,百利通亞陶晶振
ABM10-24.576MHZ-D30-T3,2520小型化晶振,艾博康電子晶振
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