NDK晶振集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場(chǎng)的擴(kuò)大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來(lái)的搭載部件的構(gòu)成的變化，使得TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。由此，本集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場(chǎng)的產(chǎn)品的再?gòu)?qiáng)化上，把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長(zhǎng)戰(zhàn)略。并且展開(kāi)在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域，利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃。通過(guò)贏得客戶的高評(píng)價(jià)和高信賴來(lái)確保持續(xù)的成長(zhǎng)和安定的收益，來(lái)努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。
日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí)，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值，我們認(rèn)為維持無(wú)源晶振經(jīng)營(yíng)的透明性，確實(shí)盡到對(duì)各位股份持有者說(shuō)明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營(yíng)最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理準(zhǔn)則，由此我們迎來(lái)了兩位外部董事。加大強(qiáng)化相關(guān)經(jīng)營(yíng)監(jiān)察機(jī)能、遵守法律，確保說(shuō)明責(zé)任，迅速且適當(dāng)?shù)毓夹畔?，履行環(huán)境保全等的社會(huì)責(zé)任，而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。

NDK晶振,貼片晶振,NX2016SF晶振,進(jìn)口石英貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
注意：在石英晶振晶體測(cè)量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測(cè)試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測(cè)試機(jī)用平移法進(jìn)行測(cè)試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測(cè)量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性。如下方面都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來(lái)影響：1、測(cè)試針本身連接的可靠性；2、測(cè)試針同測(cè)試管的連接性；3、測(cè)試板同測(cè)試針的接觸問(wèn)題；4、測(cè)試座同電纜的連接；5、小負(fù)載的規(guī)格測(cè)量的規(guī)定；6、測(cè)試板π頭上空測(cè)其C0值(保留3位以上小數(shù))；7、測(cè)量環(huán)境、操作方法等管制.

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。DK晶振,貼片晶振,NX2016SF晶振,進(jìn)口石英貼片晶振
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝無(wú)源石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品：產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開(kāi)裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英SMD晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

振蕩補(bǔ)償：除非在振蕩電路中2016貼片晶振提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。DK晶振,貼片晶振,NX2016SF晶振,進(jìn)口石英貼片晶振

測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，石英晶體諧振器可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

振蕩開(kāi)始代替。在2016mm晶體諧振器諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力:適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)2016小體積晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。