KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場(chǎng),KDS品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS晶振產(chǎn)品價(jià)格 “更便宜,更快,更好的產(chǎn)品”,節(jié)省勞動(dòng)力,自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢(shì),以滿足交貨時(shí)間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
日本大真空株式會(huì)社,天津KDS作為一個(gè)最重要的環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的管理政策,通過與環(huán)境的和諧企業(yè)活動(dòng),KDS集團(tuán)將有助于創(chuàng)造社會(huì)發(fā)展得以持續(xù).進(jìn)口貼片晶振應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā),在該地區(qū)的所有的生產(chǎn)業(yè)務(wù),KDS集團(tuán),將促進(jìn)對(duì)全球環(huán)保事業(yè)的承諾. 1:努力減少有害物質(zhì)的妥善管理,為客戶提供環(huán)保產(chǎn)品. 2:對(duì)于預(yù)防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3:防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動(dòng). 4:我會(huì)遵守我們的其他環(huán)境法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議同意的要求. 5.進(jìn)行定期審查,以設(shè)置基于這種環(huán)境政策的環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo),以及促進(jìn)活動(dòng),我們會(huì)努力,不斷提高環(huán)境管理體系.6:著名的人將要從事的活動(dòng)組及全體員工的環(huán)保政策給大家,我們將通過宣傳活動(dòng),教育和培訓(xùn)工作,提高意識(shí)和環(huán)保意識(shí). 7:我會(huì)公布的環(huán)境保育活動(dòng)有關(guān)的信息.
KDS晶振,貼片晶振,DSX211SH晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶體諧振器的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
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KDS晶振 |
符號(hào) |
DSX211SH晶振 |
基本信息對(duì)照表 |
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Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24~50MHz |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
KDS晶振特定的溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子 |
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精度 |
f_— l |
±10,±20,±30,±50ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
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拐點(diǎn)溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF,10pF,12pF |
可按客戶需求指定 |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ —45kΩ |
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頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1:抗沖擊 抗沖擊是指SMD石英晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。KDS晶振,貼片晶振,DSX211SH晶振,石英晶振貼片
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管日產(chǎn)晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示貼片石英晶振單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。KDS晶振,貼片晶振,DSX211SH晶振,石英晶振貼片
四腳貼片晶振測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。)
1.振蕩電路:晶體諧振器是小體積貼片晶振,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值:車載用晶振在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。



大河晶振,貼片晶振,FCX-06晶振,無源貼片晶振
泰藝晶振,貼片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX2016SF晶振,進(jìn)口石英貼片晶振
希華晶振,貼片晶振,CSX-2016晶振,無源諧振器
村田晶振,HCR2016晶振,XRCGB24M000F0Z00R0晶振
愛普生晶振,貼片晶振,FA2016AS晶振,進(jìn)口無源晶體,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振
智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN
32.768K振蕩器,進(jìn)口CMOS晶振,SM22K有源晶振,Pletronics晶振,SM2220KC-32.768K晶體