SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

產(chǎn)品簡介

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的有源晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

計時產(chǎn)品提供了所有數(shù)字電子系統(tǒng)的心跳。在所有主要的市場中，有超過5000個客戶在200多個應(yīng)用中使用SiTime產(chǎn)品。我們的最高容量設(shè)計是在網(wǎng)絡(luò)、消費者、計算和存儲領(lǐng)域。2011年，我們開始為電信、無線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品。SiTime的基于內(nèi)存的硅計時解決方案受益于廣泛的應(yīng)用。作為石英晶振的替代品，SiTime的振蕩器和時鐘發(fā)生器已經(jīng)成功地將石英計時工業(yè)轉(zhuǎn)化為硅基產(chǎn)品。
SiTime改變了時機(jī)市場。在過去的幾十年里，石英晶體振蕩器、溫補(bǔ)晶振、時鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇，oem和ODMs接受了石英計時設(shè)備的固有限制?，F(xiàn)在，隨著強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現(xiàn)，SiTime已經(jīng)開發(fā)出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。除了MEMS和模擬電路的專業(yè)知識外，SiTime還具備以優(yōu)異的質(zhì)量和可靠性交付大量產(chǎn)品的能力。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

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SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振.適用于時鐘發(fā)生器，工業(yè)和太空/衛(wèi)星應(yīng)用.MEMS諧振器的體積比石英諧振器小1000倍，并且建在大批量的CMOS工廠中，而不是小型的定制生產(chǎn)設(shè)備。由于體積小，體積大，制造工藝簡單，MEMS振蕩器本身更加可靠，性能更加穩(wěn)定，一直處于備貨狀態(tài).SiT8002AA通過消除石英晶體諧振器，對振動，沖擊，應(yīng)變等環(huán)境影響，絕對濕度。
SiTime貼片晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。

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SiTime晶振	標(biāo)示	SiT8002AA晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	1.000MHz~125.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V/+2.5V/+3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	30pF	CMOS出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±100、±200、500×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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SiT8002AA 2520 OSC

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＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對SMD晶體外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明硅MEMS振蕩器單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加2520四腳貼片晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

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