GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進口TCXO振蕩器,低功耗晶振
值得一提的是，它還是一款低功耗晶振。在保障高性能的同時，有效降低了能耗，延長了設(shè)備的續(xù)航時間，減少了發(fā)熱，提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等對空間和功耗要求極高的領(lǐng)域。
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進口TCXO振蕩器,低功耗晶振
| 頻率范圍 | 10.0 ~ 52.0兆赫 |
| 尺寸 | 2.5 x 2.0 x 0.8 毫米 |
| 儲存溫度范圍 | -40 至 +85°C |
| 電源電壓穩(wěn)定性 | ±0.2 頁/分鐘DD 系列±5% |
| 負載穩(wěn)定性 | ±0.2 頁/分鐘L±10% |
| 頻率斜率 | ±0.05ppm/°C 超過 -30+85°C |
| 老化 | 第一年最高 ±1.0ppm |
| 電源電流 | 最大 1.5~2.0mA |
| 輸出波形 | 削波正弦，0.8V p-p，+DC 偏移 |
| 試驗載荷 （ZL) | 10kΩ // 10pF |
| 啟動時間 | 最大 3ms |
| 諧波 | 最大 -5dBc |
| 相位噪聲 | -130dBc/Hz @ 1kHz |
| 頻率容差 @ 25°C | 最大 ±2.0ppm，回流焊后 60 分鐘 |
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進口TCXO振蕩器,低功耗晶振
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進口TCXO振蕩器,低功耗晶振
所有石英晶振產(chǎn)品的共同點
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
溫補晶振,石英晶振,DSB211SCB晶振
SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振