愛普生貼片式貼片振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)運(yùn)用長年積累的培育人工石英晶振以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件.
EPSON晶體,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振,石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品壓電石英晶體被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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愛普生晶振規(guī)格 |
SG7050CBN晶振 |
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驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
80~170MHZ |
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工作電壓 |
+1.6~+3.63V(代表値) |
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靜態(tài)電流 |
(工作時)+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
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常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
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±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表:
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050CAN
35.020000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
7.372800 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
3.300000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0044810239
SG7050CAN
35.020000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810240
SG7050CAN
7.372800 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810242
SG7050CAN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810243
SG7050CAN
3.300000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044910001
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910002
SG7050CBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910003
SG7050CBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
機(jī)械振動的影響:當(dāng)7050晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口貼片晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明TCXO晶振所需電功率,其計算公式如下:驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振
1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到7050有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值:在高穩(wěn)定頻率晶振振蕩電路的設(shè)計中,必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,有源貼片晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
測試條件:(1) 電源電壓超過150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量7050標(biāo)準(zhǔn)石英晶體振蕩器頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過石英晶體振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)





ECLIPTEK晶振,貼片晶振,EA5070PA12-27.000M晶振,石英晶振
EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
TXC晶振,32.768K有源晶振,7WZ晶振,7WZ-32.768KBD-T晶振