精工愛普生株式會社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因為智能手機,以及GPS衛(wèi)星導航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號,愛普生料號等.

愛普生貼片式貼片振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	85.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CCN	4.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	16.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	11.059200 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044910026	SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910027	SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910028	SG7050CBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910029	SG7050CBN	85.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0045010001	SG7050CCN	4.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010003	SG7050CCN	16.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010004	SG7050CCN	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

機械振動的影響:當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管OSC晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在貼片晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

晶振產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了7050晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

振蕩補償:除非在MHZ系列振蕩器振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在高精度貼片有源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7050振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右，僅供參考。