QANTEK晶振的供應(yīng)渠道組織高效實用。所有的銷售,工程和管理職能都在Ft。美國佛羅里達(dá)州勞德代爾市。亞洲,歐洲和中東國家的直接產(chǎn)品來自位于德國和香港的三個分銷中心之一。所有北美(包括加拿大)和南美的貨物都由我們的Ft處理。除非客戶另有要求,否則佛羅里達(dá)州勞德代爾設(shè)施。銷售代表和分銷商戰(zhàn)略性地位于世界各地,并提供本地技術(shù)和產(chǎn)品支持。
QANTEK為每位客戶分配一位作為主要聯(lián)系人的客戶經(jīng)理,負(fù)責(zé)開發(fā)QANTEK資源的業(yè)務(wù)關(guān)系以滿足每位客戶的需求。通過此系統(tǒng),QANTEK可以保持強(qiáng)大的客戶關(guān)系,而響應(yīng)式服務(wù)和支持最重要。QANTEK希望成為您首選的進(jìn)口晶振頻率管理產(chǎn)品供應(yīng)商.
QANTEK晶振,貼片晶振,QC7A晶振,進(jìn)口無源晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù):通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個方面,通過理論與實際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;橢圓型石英諧振器,進(jìn)口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
|
QANTEK晶振 |
單位 |
QC7A晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
6~150MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±10~30× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
10~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將進(jìn)口無源晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。QANTEK晶振,貼片晶振,QC7A晶振,進(jìn)口無源晶振
所有金屬石英晶振和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。橢圓型石英諧振器,進(jìn)口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在貼片7050四腳晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。QANTEK晶振,貼片晶振,QC7A晶振,進(jìn)口無源晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過無源7050石英晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致7050貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量進(jìn)口無源SMD晶體頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).橢圓型石英諧振器,進(jìn)口無源49SMD晶體,HC49USM晶振



Crystek晶振,貼片晶振,CSX1晶振,石英晶振
ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無源貼片晶振
Cardinal晶振,貼片晶振,CX5晶振,進(jìn)口石英晶振
Cardinal晶振,貼片晶振,CX12B晶振,進(jìn)口SMD晶振
EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
TXC晶振,32.768K有源晶振,7WZ晶振,7WZ-32.768KBD-T晶振