IDT為高性能的網(wǎng)絡通信應用提供了廣泛的解決方案。IDT領先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進的時機解決方案包括網(wǎng)絡同步產(chǎn)品超越競爭,使客戶開發(fā)最先進的系統(tǒng)。IDT積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設備。然而，由于IDT晶振產(chǎn)品性能往往受到其實現(xiàn)的影響，因此建議仔細考慮影響設備運行溫度的因素，以達到最好的效果。
在IDT，我們認為作為一個行業(yè)領導者，我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關鍵作用。IDT致力于通過網(wǎng)站運營和產(chǎn)品開發(fā)，持續(xù)改進作為一個全球性的組織。IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎設施應用而設計的高性能的領先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進的時機。

IDT晶振,差分晶振,XLL晶振.是5.0*3.2*1.1mm的LVDS晶體振蕩器，具有超過12kHz至20 MHz帶寬的0.89ps典型相位抖動。在寬頻率范圍為0.750MHz至1350MHz的情況下，IDT XLL系列晶體振蕩器采用一系列專有ASIC，主要關注降噪技術。三階Delta Sigma調(diào)制器將噪聲降低到與傳統(tǒng) 散裝石英和SAW振蕩器。交貨期短，成本低，噪音低，頻率范圍寬，環(huán)境性能優(yōu)異，XLL是傳統(tǒng)技術的絕佳選擇。 XLL具有±20ppm的穩(wěn)定性，標準和定制頻率的交付極快。

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致差分振蕩器性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞差分石英晶體振蕩器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明5032貼片晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補償
除非在LVDS晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致差分石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振

頻率和負載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設置參考