ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標準尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅(qū)動的理想選擇通訊,射頻,無線回程,和儀器應(yīng)用。Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事,航空,航空航天,生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計的。
Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLSG晶振.49S型貼片石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABLSG晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
3.579545MHZ~75.000MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1-500μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
18pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLSG晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口貼片晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLSG晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考


Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
Raltron晶振,石英晶振,AS-4PD晶振
Raltron晶振,49SMD晶振,AS-SMD晶振
瑞康晶振,石英晶體諧振器,RHC-49US晶振
鴻星晶振,假貼片晶振,E49B晶振
ECLIPTEK晶振,進口無源晶振,E1SAA12-24.000M晶振
石英晶振,假貼片晶振,49SMD晶振
AE-M20-A-2-4085-2-18-30M0000,Anderson品牌,6G移動通訊晶振