服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時(shí)時(shí)為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對(duì)于我們的石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價(jià)值.Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場(chǎng)上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者,日蝕晶振公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù).
日蝕晶振公司將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.
ECLIPTEK晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,E1SAA12-24.000M晶振.49S貼片型石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
日蝕石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。24M假貼片晶體,49SMD壓電石英晶振,E1SAA12-24.000M晶振
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日蝕晶振 |
單位 |
E1SAA12-24.000M晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±100 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
12pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-0°C~ +70°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
SMD晶體可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。ECLIPTEK晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,E1SAA12-24.000M晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。24M假貼片晶體,49SMD壓電石英晶振,E1SAA12-24.000M晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
1、振蕩電路
49SMD石英晶振是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。24M假貼片晶體,49SMD壓電石英晶振,E1SAA12-24.000M晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
貼片型49S石英晶振振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。ECLIPTEK晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,E1SAA12-24.000M晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于無(wú)源石英晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。


Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
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